大规模-CVD.pptVIP

* 在蒸发和溅射这些物理淀积方法中，粒子几乎直线运动，存在台阶覆盖问题。随着集成电路尺寸的不断缩小和纵横比的提高，使台阶覆盖问题更为突出。此外，蒸发和溅射主要用于金属薄膜的淀积，不太适用于半导体薄膜和绝缘薄膜的淀积。 第 13 章 化学气相淀积 反应室 反应气体输入 SiH4 (1%浓度) 能量 Si 化学气相淀积（Chemical Vapor Deposition，CVD ）是基于化学反应的薄膜淀积方法。以气体形式提供的反应物质， 在热能 、等离子体、紫外光等的作用下，在衬底表面经化学反应（分解或合成）形成固体物质的淀积。 废气排出 2H2 CVD 工艺的特点 1、CVD工艺的温度低，可减轻硅片的热形变，抑制缺陷的生成，减轻杂质的再分布，适于制造浅结器件及 VLSI ； 2、薄膜的成分配比范围大，重复性好； 3、淀积速率一般高于物理淀积，厚度范围大； 4、膜的结构完整，与衬底粘附好，台阶覆盖性好； 5、集成电路制造中所用的薄膜材料，包括介质膜、半导体膜、导体膜等，几乎都能用 CVD 工艺来淀积。例如 介质： SiO2、Si3N4、PSG、BSG、Al2O3、TiO2、Fe2O3 半导体：Si、Ge、GaAs、GaP、AlN、InAs、多晶硅 导体： Al、Ni、Au、Pt、Ti、W、Mo、WSi2 CVD 的分类 1、按温度，有低温 ( 200 ~ 500oC)、中温 ( 500 ~ 1000oC) 和高温 ( 1000 ~ 1300oC) CVD。 2、按压力，有常压 ( APCVD ) 和低压 ( LPCVD ) CVD。 3、按反应室壁温度，有热壁 CVD 和冷壁 CVD 。热壁是指壁温高于晶片温度，通常是在反应室外采用电阻发热方式透过室壁对晶片进行加热。冷壁是指壁温低于晶片温度，可采用射频感应或电阻发热方式在反应室内对基座进行加热。 4、按反应激活方式，有热激活、等离子激活 ( PECVD ) 和紫外光激活等。 5、按气流方向，有卧式 CVD 和立式 CVD。 13.1 一种简单的硅淀积 CVD 系统 如果反应是在硅片上方的气体中发生的，称为 同质反应 。如果反应是在硅片表面处发生的，则称为 异质反应 。 　　在淀积多晶硅薄膜的 CVD 系统中 ，硅烷（SiH4）先通过同质反应产生气态的亚甲硅基（SiH2），然后亚甲硅基吸附在硅片表面通过异质反应而生成固体硅。一般不希望由同质反应直接生成固体硅。 反应室 反应气体输入 SiH4 (1%浓度) 加热 Si 废气排出 2H2 13.3 气体流动和边界层 从硅片表面气体流速 v = 0 处到硅片上方 v = 0.99 v0 处之间的这一层气体层称为 边界层，或 滞流层。 主气流，v0 反应气体 基座 滞流层 x y L 滞流层厚度将随气流方向的距离 x 而变化， 滞流层在长度为 L 的基座上的平均厚度为 式中， 为气体的粘滞系数， 为气体的质量密度。 13.4 简单 CVD 系统评价 化学气相淀积过程 1、反应气体从反应室入口向硅片附近输运； 2、反应气体通过同质反应生成系列次生分子； 3、次生分子扩散穿过滞流层到达硅片表面并被吸附； 4、在硅片表面发生异质反应生成固体薄膜； 5、气体副产物解吸附； 6、副产物离开硅片表面的输运； 7、副产物离开反应室的输运。 CVD 过程中与淀积速率有关的两个主要步骤是： 式中， 称为 气相质量转移系数，a = 1.75 ~ 2。 2、在硅片表面处发生反应，生成薄膜。消耗掉的反应剂的粒子流密度为 式中， 称为 表面反应速率常数。 1、反应气体以扩散方式穿过滞流层到达硅片表面，并被吸附于硅片表面。这称为 质量输运过程。扩散流密度为 　　将以上各方程联立求解，可得 稳态时，J1 = J2 = J ，且淀积速率正比于 J 。 式中， 当温度较高时，hg ks