米勒平台形成的原理.pdfVIP

米勒平台的形成原理 WrittenByNOT2MUCH,InspiredByGreendot, 一花一天堂，荨麻草 在描述米勒平台 （millerplateau）之前，首先来看看“罪魁祸首”米勒效应 （millereffect）。 假设一个增益为-A 的理想反向电压放大器如图1所示，在放大器的输出和输入端之间连接 一个阻值为Z 的阻抗。定义输入电流为I （假设放大器的输入电流为0），输入阻抗为Z ， i in 那么有如下的等式关系， 如果把阻抗Z替换为容值为C 的电容， 1 Z  in sC(1A )v 图1 由此可见，反向电压放大器增加了电路的输入电容，并且放大系数为 （1+A ）。这个效应最 早是由JohnMiltonMiller发现的并发表在他1920的著作中，所以称之为米勒效应。 再联系到我们的MOSFET，加入寄生电容的原理图可以由下左图来表示。假设想象图2 （1）的的MOSFET是一个共源电路 （commonsource）：Drain 为输出端，Source接地，Gate 为输入端。根据MOSFET 的小信号模型，MOSFET形成了一个反向电压放大器，其等效电 路可以由图2 （2）来表示。 （1） （2） 图2 MOSFET形成的电压放大器的增益需要根据其输出和输入电阻来判断，不同的MOSFET会 有不同的结构，所以增益很难量化，某些情况下其放大系数可以达到数百倍。C 则形成了 GD 一条反馈回路 （连接输出端口Drain和输入端口Gate），于是在MOSFET 中的米勒效应就形 成了。 接下来就是万众瞩目的米勒平台了，MOSFET开启时的电压和电流曲线如图3所示。VGS 在0-t 的时间内上升到MOSFET 的阈值电压。漏极电流I 从t 结束时到t 开始时从0上升 1 DS 1 3 到稳定负载电流，V 继续上升到米勒平台电压V 。在t 时间内，V 一直处于平台电压， GS GP 3 GS V 开始下降至正向导通电压V 。在t3 时间后，V 继续上升。这里我们来分析一下为什么 DS F GS 波形会是这个样子。 图3 首先，我们需要先要了解一下MOSFET寄生电容的大体情况。在MOSFET 的DATASHEET 中，采用的定义方法如图4所示。需要注意的是，C 就是我们所说的C 。 rss GD 图4 一般而言，在MOSFET关闭的状态下，C 比C 要大很多。以大家熟知的IRF540为例， GS GD 图5 IRF540的Ciss=C +C =1700pF,Crss=C =120PF,