第4章　正弦波振荡器 高频电路基础课件ppt 高频电路原理与分析.ppt

图 4-32 说明占据过程的瞬时电压矢量图 (a) fs小于f1；(b) 占据时的矢量 　　设信号频率fs小于f1，若以图4-32(a)中　　作为基准，则其它电压、电流(频率为f1)为逆时针旋转。现在看一个反馈周期中矢量的变化。设有　　后，基极输入电压为　　，由图可见， 　　虽然仍为逆时针旋转，但因　　　　　　，显然它的转 速要慢些，这表示其瞬时频率比f1要低一些。　　为新的电压产生的集电极电流，它与　　瞬时同相。由于振荡回路有储能作用，回路上新的　　并不立即取决于　　，但是可以想象它的瞬时相位要逐渐滞后。如果上述　　使振荡电压、电流瞬 时频率逐渐降低的过程能一直进行到稳定状态，即最后保持与 　　有固定的相位关系，则表示频率　　　　，产生占据。若振荡频率有所降低，但始终达不到稳定状态(振荡电压仍以 　　　　　逆时针旋转)，这就相当于fA至fB的牵引状态。 　　出现占据时的电流、电压矢量图如图4-32(b)所示。图上 　　为回路阻抗的幅角。因为此时　　　，　　　　　，故　　　　 　　为正值。　为　　超前　　的相角，由图(b)可知，因 　　　　　　 由上式三个矢量构成的平行四边形关系，可得 (4-57) 这表明，在占据时　　和　　保持相对固定的相移是靠回路失谐产生的　　来补偿的。因　　与回路失谐大小有关，可以由式(4-57)求出占据频带。通常回路失谐不大(失谐很大时振幅条件也将不能满足)时，　　不大，因此有下列近似关系: (4-58) 再考虑并联回路 图 4-20 密勒振荡器 　　由于皮尔斯振荡器的频率稳定度比密勒振荡器高，故实际应用的晶体振荡器大多为皮尔斯振荡器，在频率较高时可以采用泛音晶体构成。图4-21给出了一种应用泛音晶体构成的皮尔斯振荡器电路。图中L、C1构成的并联谐振回路是用以破坏基频和低次泛音的相位条件，使振荡器工作在设定的泛音频率上。如电路需要工作在5次泛音频率上，应使L、C1构成的并联回路的谐振频率低于5次泛音频率，但高于所要抑制的3次泛音频率，这样对低于工作频率的低泛音频率来说，L、C1并联回路呈现一感性，不能满足三端式振荡器的组成原则，电路不能振荡, 但工作在所需的5次泛音上时，L、C1并联回路就呈现容性，满足三端式的组成原则，电路能工作。需要注意的是，并联型晶体振荡器电路工作的泛音不能太高，一般为3、5、7次，高次泛音振荡时，由于接入系数的降低，等效到晶体管输出端的负载电阻将下降，使放大器增益减小，振荡器停振。 图 4-21 泛音晶体皮尔斯振荡器 　　图4-22是一场效应管晶体并联型振荡器线路，晶体等效成一感抗，构成一等效的电容反馈振荡器。 图 4-22 场效应管晶体并联型振荡器线路 　　2． 串联型晶体振荡器 　　在串联型晶体振荡器中，晶体接在振荡器要求低阻抗的两点之间，通常接在反馈电路中。图4-23示出了一串联型晶体振荡器的实际线路和等效电路。由图可见，如果将晶体短路，该电路即为一电容反馈的振荡器。电路的工作原理为: 当回路的谐振频率等于晶体的串联谐振频率时，晶体的阻抗最小，近似为一短路线，电路满足相位条件和振幅条件，故能正常工作；当回路的谐振频率距串联谐振频率较远时，晶体的阻抗增大，使反馈减弱，从而使电路不能满足振幅条件，电路不能工作。串联型晶体振荡器的工作频率等于晶体的串联谐振频率，不需要外加负载电容CL，通常这种晶体标明其负载电容为无穷大，在实际制作中，若fq有小的误差，则可以通过回路调谐来微调。 图 4-23 一种串联型晶体振荡器 (a) 实际线路；(b) 等效电路 　　串联型晶体振荡器能适应高次泛音工作，这是由于晶体只起到控制频率的作用，对回路没有影响，只要电路能正常工作，输出幅度就不受晶体控制。 　　3． 使用注意事项 　　使用石英晶体谐振器时应注意以下几点: 　　(1) 石英晶体谐振器的标称频率都是在出厂前，在石英晶体谐振器上并接一定负载电容条件下测定的，实际使用时也必须外加负载电容，并经微调后才能获得标称频率。为了保持晶振的高稳定性，负载电容应采用精度较高的微调电容。 　　(2) 石英晶体谐振器的激励电平应在规定范围内。过高的激励功率会使石英晶体谐振器内部温度升高，使石英晶片的老化效应和频率漂移增大，严重时还会使晶片因机械振动过大而损坏。 　　(3) 在并联型晶体振荡器中，石英晶体起等效电感的作用，若作为容抗，则在石英晶片失效时，石英谐振器的支架电容还存在，线路仍可能满足振荡条件而振荡，石英晶体谐振器失去了稳频作用。 　　(4) 晶体振荡器中一块晶体只能稳定一个频率，当要求在波段中得到可选择的许多频率时，就要采取别的电路措施，如频率合成器，它是用一块晶体得到许多稳定频率，频率合成器的有关内容将在第8章介绍。 4.