第7章 内存储器及其管理 微机原理课件.ppt

* * 第7章???内存储器及其管理 7.1 存储器概述 7.1.1 存储器的分类 1、按存取速度和在计算机系统中的地位分类 主存储器（简称主存）和辅助存储器（简称辅存） 2、 按存储介质和作用机理分类 存储器可分为磁存储器、光学存储器、半导体存储器。 3、 按存取方式分类 分为可读写存储器RAM和只读存储器ROM 7.1.2 存储器的性能指标 1、存储器容量： 是存储器可以容纳的二进制信息总量，即存储信息的总位（Bit）数 。 2、存取速度： 存储器芯片的存取速度可用存取时间和存储周期这两个时间参数来衡量。 7.1 存储器概述（续） 7.2 半导体存储器 双极型RAM 可读写存储器RAM 静态RAM（SRAM） MOS型RAM 动态RAM（DRAM） 只读存储器ROM 半导体 存储器 掩膜ROM 可编程ROM（PROM） 可擦除可编程ROM（EPROM） 电可擦除可编程ROM（E2PROM） 7.2.1 可读写存储器RAM 1、静态RAM（SRAM） 常用的静态RAM芯片主要有2114、6116、6264、62128、62256等等，下面以6116芯片为例加以介绍。6116芯片是2K×8位的高速静态CMOS可读写存储器，片内共有2048个字节存储单元（16384个基本位存储单元）。 6116的工作方式 读 写 未选通 1 0 × 0 1 × 0 0 1 工作方式 WE OE CE 图7.2 6116芯片引脚图 2、动态RAM（DRAM） 动态RAM的基本存储单元是单管动态存储电路。其引脚图见图7.3。 7.3 动态RAM 4164外部引脚 7.2.2 只读存储器ROM 1、掩膜式ROM 掩膜式ROM有如下特点： 存储的内容一经写入便不能修改，灵活性差； 存储内容固定不变，可靠性高； 少量生产时造价昂贵，因而只适应于定型批量生产。 2、可编程只读存储器PROM（Programmable ROM） 可编程只读存储器PROM便于用户根据自己的需要来写入存储信息。 PROM中的存储内容一旦写入就无法更改，是一种一次性写入的只读存储器。 3、可擦可编程只读存储器EPROM（Erasable PROM） EPROM作为一种可以多次擦除和重写的ROM，克服了掩膜式ROM和PROM灵活性差的缺点，但对EPROM编程时是在专门的编程器上进行的。而且信息的擦除也需要专门的设备。如Intel 2716（2K×8） 、2732A（4K×8） 、2764（8K×8）、27128（16K×8）、27256（32K×8）、27512 （64K×8） 4、电可擦除可编程只读存储器E2PROM（Electrically EPROM） E2PROM能以字节为单位擦除和改写，在用户系统下即可完成，使用起来就象RAM一样方便，而且，掉电后内容不丢失。 7.2.2 只读存储器ROM（续） 7.3 半导体存储器在微机系统中的应用 7.3.1 存储器在微机系统中的连接 1、关于地址线的连接 不同容量的存储器芯片，其地址线的位数不同。 1K个单元的存储器有10条地址线（A9~A0），2K个单元的存储器有11条地址线（A10~A0），以此类推。 2、 关于数据线的连接 存储单元一般为8位数据，有两点需要说明：第一，若一片存储器不够8位数据，则需要用多片共同构成存储单元；第二，若CPU系统只有8条数据线，则存储器的数据线与其一一对应相接即可。若有16条或32条数据线，则将内存分为两个以上存储体，每个存储体对应一个8位数据线，分别进行寻址。 3、关于控制线的连接 不同的存储器芯片，引脚功能的区别主要体现在控制线上。 7.3.2 存储器的选址 1、线选法 所谓线选法，是指用某一条高位地址线直接作为存储器芯片的片选信号。 特点： 1）对应的存储器寻址空间可能不唯一， 2）若有多片存储器均使用线选法选址，则可能出现地址不连续或交叉、重叠、覆盖等现象。 例：试计算图10.7中3片EPROM 2764的