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南京邮电大学 毕业设计(论文)外文资料翻译 学 院 光电工程学院 专　　业 光电信息工程 学生姓名 班级学号 外文出处 Advanced Materials. 2008,20: 1456-1461 附件：1.外文资料翻译译文；2.外文原文 指导教师评价： 1．翻译内容与课题的结合度： □ 优 良 □ 中 □ 差 2．翻译内容的准确、流畅： 优 □ 良 □ 中 □ 差 3．专业词汇翻译的准确性： □ 优 良 □ 中 □ 差 4．翻译字符数是否符合规定要求： 符合 □ 不符合 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　指导教师签名：　　　　　 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　年月日磷酸三(8 -羟基喹啉)铝薄膜 考希克·罗伊·乔杜里钟赫尹佛朗基 由于其易于加工且可以廉价的制作低成本基板，有机半导体已经成为制作下一代电子和光电子器件的新型材料。为了实现可替代无机材料，有机电子领域已经成为努力研究的热点，尤其是大面积、柔性电子的应用。已经证实对实现高效有机发光二级管（OLED）的平板显示和照明、薄膜场效应管（TFT）、探测器大面积的探测器阵列，及有机光伏电池低成本的太阳能能源的产生有重大的贡献。在所有这些有机设备实施方案中，电荷注入/提取及传输的优化对他们来说是极为重要的技术。有效的注射或提取要求低能量8 -羟基喹啉)铝J-V特征 图1.a）单载波设备的结构示意图：i）掺杂LiF的Aloq3器件；ii）使用双层LiF/Al复合阴极的Alq3器件。b）掺杂LiF的Alq3设备的电流密度与电压（J-V）的特点。也显示了使用双层LiF/Al复合阴极的Alq3设备的数据。插图：放大在低电流区域的相同数据显示了掺杂LiF增加了电流密度。 若超过10%，电流密度随掺杂浓度增加而减少，这可能是由于LiF的聚合。在最高的偏置电压下，且掺杂浓度为4%的设备中最大电流密度高于未掺杂器件四个数量级，比LiF/Al双层阴极掺杂设备的价值更高。其他重要的观察是LiF掺杂对电荷传输特性的影响。很显然在掺杂的Alq3设备和采用LiF/Al双层阴极的设备中，传输时主要是陷阱限制了电流（TCL）的传输，当V5时主要取决于电流密度。有趣的是，改变传输性质本质上是为了获得无陷阱无空间限制的电荷（SCLC）体质，（J-V2）随LiF的掺杂浓度的增加，表明陷阱内充满了掺杂。即使在无陷阱的SCLC的体质中，也可以明显观察到对当前的掺杂水平的依赖。在电压低于2伏，电流呈线性偏压，因此薄膜的散装系数（S）可估测。即使在1% 的额定掺杂情况下，Alq3薄膜中温度传导率也增加了四个数量级，掺杂薄膜的数值从5*10-7scm-1到10-11scm-1。在掺杂浓度为4%时，电导率最大可达到10-6scm-1。为了估计自由陷阱SCLC区域内的电子迁移率，我们使用自由陷阱SCLC的Mott-Gurney方程： (1) 在ξ是介电常数,m是载流子迁移率,d是样品厚度。结果表明（5*104Vcm-1）低场电子在掺杂浓度为4%的样品中电子的迁移率是1.95*10-5cm2v-1s-1，通过TOF方式测量可知迁移率比掺杂Alq3的迁移率约高两个数量级。用TOF测量掺杂Alq3的电子流动性，在不同的领域对场具有很强依存性，其流动性从低电场10-7cm2v-1s-1到高电场10-5cm2v-1s-1。我们的研究结果表明，在掺杂样品中高低电场内的流动性是相同的。表1总结了电导率、载流子浓度、在掺杂和未掺杂Alq3薄膜中的流动值。在这里，取16作为TOF的流动参考值，并假设其为未掺杂Alq3薄膜的迁移率。在掺杂样品中使用非陷阱SCLC模型，若有明显的高流动性值，表明陷阱被填满，使得掺杂样品内的载流子迁移率高于未掺杂的样品内载流子迁移率。此外，表1还表示掺杂使得未掺杂样品中的载流子浓度从4.3*1011cm-3增加到1.3*1015cm-3。 表1：电导率、载流子密度、在掺杂和未掺杂样品中的迁移率。 图2.a）使用Al阴极并掺杂LiF的Alq3单载波设备中的电流密度—电压（J—V）的典型特点。虚线对应的数据显示了由电压决定的电流的不同性质。b）与在ITO中掺杂LiF器件的电流密度—电压（J—V）的参数相似。图像表明样品中都包含LiF。 图3.比较掺杂LiF的Alq3器件在最佳掺杂浓度下使用不同电极（Al、ITO、Ag）时获得的电子注入效率