场效应管放大电路PPT.ppt

2．场效应管各极间电压的极性应正确接入，结型场效应管的栅-源电压vGS的极性不能接反。 3．当MOS管的衬底引线单独引出时，应将其接到电路中的电位最低点（对N沟道MOS管而言）或电位最高点（对P沟道MOS管而言），以保证沟道与衬底间的PN结处于反向偏置，使衬底与沟道及各电极隔离。 4．MOS管的栅极是绝缘的，感应电荷不易泄放，而且绝缘层很薄，极易击穿。所以栅极不能开路，存放时应将各电极短路。焊接时，电烙铁必须可靠接地，或者断电利用烙铁余热焊接，并注意对交流电场的屏蔽。 4.3.6 场效应管与三极管的性能比较 1．场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。 2．场效应管是电压控制电流器件，由vGS控制iD，其放大系数gm一般较小，因此场效应管的放大能力较差；三极管是电流控制电流器件，由iB（或iE）控制iC。 3．场效应管栅极几乎不取电流（ig=0）；而三极管工作时基极总要吸取一定的电流。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高。 4．场效应管只有多子参与导电；三极管有多子和少子两种载流子参与导电，因少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，所以场效应管比三极管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在环境条件（温度等）变化很大的情况下应选用场效应管。 5．场效应管在源极未与衬底连在一起时，源极和漏极可以互换使用，且特性变化不大；而三极管的集电极与发射极互换使用时，其特性差异很大，β值将减小很多。 6．场效应管的噪声系数很小，在低噪声放大电路的输入级及要求信噪比较高的电路中要选用场效应管。 7．场效应管和三极管均可组成各种放大电路和开关电路，但由于前者制造工艺简单，且具有耗电少，热稳定性好，工作电源电压范围宽等优点，因而被广泛用于大规模和超大规模集成电路中。 4.4.1 场电路的直流偏置电路及静态分析 由场效应管组成放大电路时，也要建立合适的静态工作点Q，而且场效应管是电压控制器件，因此需要有合适的栅-源偏置电压。 常用的直流偏置电路有两种形式，即自偏压电路和分压式自偏压电路。 4.4 场效应管放大电路 N沟道耗尽型结型场效应管放大器的自偏压电路如图1(a)所示。其中场效应管的栅极通过电阻Rg接地，源极通过电阻R接地。 场效应管放大器的自偏压电路 一、直流偏置电路 1.自偏压电路 工作原理 这种偏置方式靠漏极电流ID在源极电阻R上产生的电压为栅-源极间提供一个偏置电压VGS，故称为自偏压电路。 静态时，源极电位VS=IDR。由于栅极电流为零，Rg上没有电压降，栅极电位VG=0，所以栅源偏置电压VGS=VG–VS=–IDR 。耗尽型MOS管也可采用这种形式的偏置电路。 图1(b)所示电路是自偏压电路的特例，其中VGS=0。显然这种偏置电路只适用于耗尽型MOS管，因为在栅源电压大于零、等于零和小于零的一定范围内，耗尽型MOS管均能正常工作。 增强型MOS管只有在栅-源电压达到其开启电压VT时，才有漏极电流ID产生，因此图1所示的自偏压电路非增强型MOS管。 2．分压器式自偏压电路 分压器式自偏压电路是在自偏压电路的基础上加接分压电路后构成的，如图2所示。 图 2 工作原理： 静态时，由于栅极电流为零，Rg3上没有电压降，所以栅极电位由Rg2与Rg1对电源VDD分压得到，即 源极电位 VS=IDR， 因此栅源直流偏置电压 VGS=VG-VS 。 适用范围：这种偏置方式同样适用于结型场效应管或耗尽型MOS管组成的放大电路，还适用于增强型管电路。 二、静态工作点的确定 1估算法求静态工作点 对场效应管放大电路的静态分析也可以采用图解法或公式估算法，图解法的步骤与双极型三极管放大电路的图解法相似。这里仅讨论用公式估算法求静态工作点。 工作在饱和区时，结型场效应管和耗尽型MOS管的漏极电流 增强型MOS管的漏极电流 求静态工作点时，对于图1(a)所示的自偏压电路，可求解方程组 得到ID和VGS 管压降 对于图2所示电路，可求解方程组 管压降 VDS=VDD–ID( Rd + R ) 图一 图二 RS Rg1 Rg2 Rg3 Rd 例1 下图电路中，设场效应管为JFET，已知Rg1=300K?，Rg2=150K ?，VDD=18V，Rd=3K ?，RS=3K ?，Rg3=1M ?，ID0=2.5mA，VT=-2.5V，试用估算法求解静态工作点。 Cs RL C1 C2 RS Rg1 Rg2 Rg3 Rd + vi - + v0 - RS Rg1 Rg2 Rg3 Rd 解： （1）画出电路的直流通路。如下图所示 （2）写出输入、输出回路方程 VDS=