电子技术的发展与现状PPT.ppt

(1-*) 结 束 (14-*) 1．半导体材料中有两种载流子：电子和空穴。电子带负电，空穴带正电。在纯净半导体中掺入不同的杂质，可以得到N型半导体和P型半导体。 2．采用一定的工艺措施，使P型和N型半导体结合在一起，就形成了PN结。PN结的基本特点是单向导电性。 3．二极管是由一个PN结构成的。其特性可以用伏安特性和一系列参数来描述。 内容小结 (14-*) 4.三极管工作时，有两种载流子参与导电，称为双极型晶体管。 5.是一种电流控制电流型的器件，改变基极电流就可以控制集电极电流。 6.晶体管特性可用输入特性曲线和输出特性曲线来描述。 7.有三个工作区：饱和区、放大区和截止区。 (14-*) 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 B E C N N P 基极 发射极 集电极 结构特点： 集电区： 面积最大 (14-*) B E C N N P 三极管放大的外部条件： 发射结正偏、集电结反偏 PNP 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB NPN 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB EB RB EC RC 14.5.2 电流分配和放大原理 从电位的角度看 集电结 发射结 (14-*) 晶体管电流放大的实验电路  设 EC = 6 V，改变可变电阻 RB，则基极电流 IB、集电极电流 IC 和发射极电流 IE 都发生变化，测量结果如下表： mA ?A V V mA IC EC IB IE RB + UBE + UCE EB C E B 3DG100 公共端 基极电路 集电极 电路 (14-*) IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 (1) IE = IB + IC 符合基尔霍夫定律 (2) IC ?? IB ， IC ? IE (3) ? IC ?? ? IB (4) IB=0时， IC = ICEO ? 0 晶体管的电流放大作用：基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大的变化。 放大实质：用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化，晶体管是电流控制器件。 晶体管电流测量数据 结论: (14-*) 晶体管内部载流子运动 发射区向基区扩散电子 电子在基区扩散和复合 集电区收集从发射区扩散过来的电子 B E C N N P 基极 发射极 集电极 发射区 集电区 基区 集电结 发射结 (14-*) 电流分配和放大原理 B E C N N P EB RB EC IE IBE 基区空穴向发射区的扩散可忽略. 进入P 区的电子除极少数与基区空穴复合，形成电流IBE , 基区要薄，浓度小，使绝大多数电子扩散到集电结. 发射结正偏,发射区电子不断向基区扩散,形成发射极电流 IE。 (14-*) B E C EB RB EC IE ICBO IC=ICE+ICBO?ICE IBE ICE 集电结反偏，由少子形成的反向电流ICBO，受温度影响比较大。 从发射区扩散到基区到达集电区边缘的电子被拉入集电区形成 ICE。 IB = IBE – ICBO ? IBE IB N N P IC (14-*) 直流电流放大倍数：ICE 与 IBE之比 要使晶体管能放大电流，必须使发射结正偏，集电结反偏。 (14-*) NPN 型晶体管 PNP 型晶体管 晶体管起放大作用的条件： 发射结必须正向偏置，集电结必须反向偏置。 电流方向和发射结与集电结的极性 IC IE IB + UCE ? + UBE ? B ? ? ? ? E C + UBE ? IB IE IC B ? ? ? ? + UCE ? E C (14-*) 14.5.3 特性曲线 管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。 为什么要研究特性曲线： 1）直观地分析管子的工作状态 2）合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的电路 重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线 (14-*) 输入回