电子材料导论 薄膜PPT.ppt

* 4 金属氧化物透明导电薄膜 金属氧化物透明导电薄膜 氧化铟锡（ITO）薄膜、 氧化锌铝（掺铝ZnO，简称AZO）膜 重掺杂、高简并的n型半导体。 就电学和光学性能而言，它们是两种具有实际应用价值的透明导电薄膜。 * 1) .ITO透明导电薄膜 ITO薄膜的主要成分是In2O3，其禁带宽度为3.75-4.0eV。所以是一种透光性较好的材料。 ITO是In2O3中掺锡后形成的高简并n型半导体。 锡掺杂的氧化铟是一种体心立方铁锰矿结构的n型半导体透明导电薄膜， * 具有以下特性 ： ①导电性能好（电阻率10-4Ω·cm），带隙宽，载流子浓度（1021 cm-3）电子迁移率（15～45 cm2V-1 s-1）较高 ； ②可见光波段透过率高达85%以上； ③对紫外线的吸收率较高达85%以上； ④对红外线反射率高于80%； ⑤对微波衰减率可达85%以上； ⑥膜层硬度高，耐磨，耐化学腐蚀（氢氟酸等除外） ； ⑦良好的酸刻、光刻性能，便于细微加工，。 * 由于具有上述优良特性，ITO薄膜被广泛用于平面显示、电致变色（EC）窗、太阳能电池透明电极、微波屏蔽和防护镜、交通工具的风挡玻璃等。 制备ITO薄膜的方法有很多种，主要分为物理法和化学法两大类 。 物理法包括磁控溅射、蒸发沉积、离子增强沉积、激光脉冲沉积等。 化学法包括喷雾热解法、化学气相沉积、溶胶-凝胶法、均相沉淀法等。 ITO薄膜已能规模生产，目前应用广泛。 * 2）.AZO透明导电薄膜 氧化锌是重要的多功能材料，具有电导、光导、压电、声光、发光、气敏传感及化学催化等特性。 氧化锌薄膜的电导与透光率可以在很宽的范围内调节和控制，不同条件下生成的薄膜具有不同的功能。 在氧化锌薄膜中掺入铝、铟、氟等杂质，能有效地提高薄膜的电导率，改善其性。AZO就是在氧化锌中掺铝的导电透明薄膜。 * （AZO）薄膜具有比ITO薄膜要高的高透光率和高电导性，并且具有无毒、无污染、低成本等特点，是多晶硅薄膜太阳能电池理想的电极材料，被认为是掺杂效果极佳、最具开发潜力的功能薄膜材料。 更重要的是，AZO薄膜在高温条件下，不易与氢发生互扩散，因此在活性氢和氢等离子体环境中化学稳定性高，不易使太阳能电池材料活性降低（ITO就有这方面的缺点）。 * AZO材料来源丰富、价格便宜，因而AZO膜在太阳能电池、液晶显示、防静电等领域中有广阔的应用前景。 自20世纪70年代以来， AZO膜一直是TCO透明导电膜研究的热点。 由于还有一些技术问题没有完全解决，AZO膜还未投入规模生产。 ZnO和AZO薄膜的制备工艺主要有：磁控溅射脉冲激光沉积和溶胶-凝胶法等。 * 四）、薄膜导电材料在半导体集成电路中的应用 1.电极系统 集成电路的电极系统起着传递器件电功率的作用，它要求电极系统本身不消耗电功率，仅起传递作用，且电极系统必须可靠。 器件电极系统由三个部分组成： 金属化层、引线键合、芯片与座底的欧姆接触。 * 2.多层化电极的组成 以金属为基础的多层化系统，抗电迁移能力和化学腐蚀能力较强，是目前研究和应用较多的电极系统。 在集成电路中探测，很多场合采用的都是多层电极，按其作用和功能大体可分为四层： 欧姆接触层； 粘附层； 过渡层； 导电层。 * （1）欧姆接触层 它是直接与硅芯片接触的，要求与n型或P型硅都能形成良好的欧姆接触，性能稳定，不与硅、上层金属形成高阻化 合物。 （2）粘附层 若欧姆接触层材料(如铂)与SiO2粘附不好，还需要加上粘附层，把欧姆接触层与SiO2、上层金属粘合起来，以便在SiO2上形成牢固的引线键合点和集成电路的内引线互联。 * （3） 过渡层 一方面用来阻挡上层的金属透过粘附层与硅合金形成化合物；另一方面要阻挡导电层与下层金属产生高阻化合物，且 要求它与上下层接触电阻小，针孔少。 （4） 导电层 导电层是金属，位于多层金属的最上层，直接与内引线键合。 * 3.铜互连技术 1997年9月IBM公司和MOTOROLA公司相继宣布开发成功以铜代铝制造IC的新技术； 即用电镀方法把铜沉积在硅园片上 预先腐蚀的沟槽里然后用化学机械抛光使之平坦化。 1998年末二公司先后 生产出铜布线的商用高速PC芯片。 * 4.集成电路栅极薄膜用硅化物 难熔金属硅化物因具有低的电阻率和高的稳定性而受到重视。这方面最受人注目的4种硅化物是：TiSi2、TaSi2、MoSi2和Wsi2,其中TaSi2是最稳定的。 5 薄膜导电材料的发展 薄膜导电材料材料正朝着以下两个方面发展： ①高温薄膜导电材料； ②贱金 属薄膜导电材料。 * 三 薄膜电阻材料 在绝缘基体上（或基片上）用真空蒸发、溅射、化学沉积、热分解等方法制得的膜状电阻材料，其膜厚一般在1μm以下，人们常称它为薄膜电阻材料。 它的特点是体积