第六章 太阳能电池的基本结构2 经典太阳电池基础课件.pptVIP

第六章 太阳能电池的基本结构 申俊杰 6.4 pn结 6.5Pn结掺杂复合二极管模型 6.6 异质结 6.7 半导体-金属接触 6.8 电场在太阳能电池中的作用 6.4 pn结 晶体硅太阳能电池：n层受光面高度掺杂，吸收体的掺杂浓度为1015----1016/cm3，p层也高度掺杂。 在无光照的情况下，电子在pn结中处于电化学平衡状态。所以在pn结中， 利用 按照 所以 电子和空穴的电导率不同，所以电子的电化学势能的梯度为零，即在pn结中的电子处于化学平衡。 因为在p型n型半导体相接触的过程中，电子和空穴的化学能驱动电子和空穴的扩散而建立了内建电场。 该内建电场为 当把pn型半导体连接到一起时，n型半导体中电子的巨大的化学势能驱动电子的扩散电流从n型半导体到p型半导体；而p型半导体中空穴的化学势能驱动空穴的扩散电流从p型半导体到n型半导体。 扩散运动何时停止？ 此时，电势能的梯度被化学能的梯度补偿，所以电子和空穴不再受到驱动力。 在pn结上电势的分布 在半导体内部电势的分布遵循泊松方程 对该方程求解可以得到 这样得到，n区电荷总和和p区电荷总和，而且因为电中性原理，二区的电荷之和等于零。 从而得到空间电荷层的总厚度为 利用电场的边界条件 可以得到空间电荷层的总厚度为 在晶体硅中，电荷层的总厚度为 而结电势差为 为了避免俄歇复合，也为了化学能向电能的转化完全，需要进行合适的掺杂浓度。使得在暗区的电势差与光照时每个电子空穴对的化学势相匹配。 Pn结伏安特性曲线 对于pn结来说，所有来自n区的电子和来自p区的空穴作为少数载流子移动到相反的掺杂区，经过一个扩散长度之后，会发生复合。 在光照的情况下，离pn结的距离大于扩散长度，暗区少数载流子的浓度比多数载流子的浓度小很多，所以电荷流只有通过多少载流子传输。 对于反向来说，来自p区的电子和来自n区的空穴， p区全部是空穴流，没有电子输运到p区，只有产生于p区的电子才能在到达n区前才不会被复合，当然，只有产生于n区的空穴才能在到达 p区前不被复合。所有这些载流子的输运必须在一个不大于扩散长度的距离上发生。 在到pn结左边的电子扩散长度Le或者到pn结右边的空穴扩散长度Lh之外，n区为纯电子流，p区为纯空穴流！ 在稳定状态下，对于空穴的连续性方程 当然，空穴流的散度为 把空穴的产生率分为暗区的产生率和来自光照的产生率 这样辐射复合率则为 注意：在室温下，电子和空穴处于平衡状态 即其电化学势能之和为0，而在暗区的产生率和复合率相等。所以，产生的电荷流（对空穴流密度或者电子流密度的积分）则为 上式中电化学势能是关于位置的函数，且依赖于限制电荷流的阻抗。 而在太阳能电池中，传输阻抗产生的电压降可以忽略。所以我们只考虑其中的反应阻抗是如何限制电流的。 在积分区间之内，电子和空穴的电化学势能的梯度几乎等于0，所以 这里V是电池两端之间的电压。 这样，伏安特性则描述为 如果，外电压为0则短路电流为 当然，在暗区，对于大的负偏压即 即为反向饱和电流。注意：反向饱和电流和电压无关 即反向饱和电流为 而短路电流和反向饱和电流是pn结伏安特性的基本要素 而在真实的pn结中，除了辐射复合之外，还要考虑非辐射复合。而非辐射复合中的产生速率可以通过扩散长度得到， 由扩散长度公式，得到反向饱和电流为 除了短路电流之外，开路电压也很重要 这里开路电压为 我们当然希望载流子的复合寿命越长越好，这主要是因为这样做ISC大。在间接带隙半导体材料如Si中，离结100微米处也产生相当多的载流子，所以希望它们的寿命能大于1ms。在直接带隙材料，如GaAs中，只要10ns的复合寿命就已足够长了。长寿命也会减小暗电流并增大VOC。 对VOC有明显的影响的另一因素是掺杂浓度。虽然nd和na出现在Voc定义的对数项中，它们的数量级也是很容易改变的。掺杂浓度愈高，Voc愈高。一种称为重掺杂效应的现象近年来已引起较多的关注，在高掺杂浓度下，由于能带结构变形及电子统计规律的变化，所有方程中的nd和na都应以（nd）eff和（na）eff代替。 6.5 pn结掺杂复合二极管模型 上一节讲的主要是只存在辐射复合的基础的理想状态，实际上的太阳能电池中，通过掺杂的复合占了主导地位。 其余内容自学！ 6.6 异质结 在电子与空穴的分离过程中，电子流向左方（n型半导体），空穴流向右方（p型半导体）。 此时，电子的电化学势能以及电子的费米能级朝左方递减，而空穴的电化学势能和空穴的费米能级朝右方递减。 此时，也存在着向错误方向的传输，即电子流向右方（p型层）和空穴流向左方（n型层），与总电流相关的电荷电流减少。 而要解决这个问题的关键