原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
第10讲 场效应管放大电路
第十讲 场效应管放大电路 一、场效应管静态工作点的设置方法 1. 基本共源放大电路 三、场效应管放大电路的动态分析 1. 场效应管的交流等效模型 2. 基本共源放大电路的动态分析 3. 基本共漏放大电路的动态分析 基本共漏放大电路输出电阻的分析 * 下一页 上一页 章目录 * 一、场效应管放大电路静态工作点的设置方法 二、场效应管放大电路的动态分析 三、复合管 根据场效应管工作在恒流区的条件，在g-s、d-s间加极性合适的电源 vi vo 2. 自偏压电路 ID 由来： 源极电阻 在vGS=0时，耗尽型FET也会有漏 源电流流过电阻R，而栅极是经电阻Rg接地，所以在静态时 VGS = -ID R 自身可提供一个电压，称 为自偏压。 源极旁路电容 该电路只适用于耗尽型FET，对于增强型FET不能适用！ 注意啦 vi vo ID 计算Q点：即求出VGS 、 ID 、VDS 已知VP ，由 VGS = - IDR 可解出Q点的VGS 、 ID VDS =VDD- ID (Rd + R ) 再求： 联立求解 3. 分压式自偏压电路 由来： 漏极电源VDD经分压电阻Rg1和Rg2分压后，通过Rg3供给栅极电压Vg，则 vi vo Vg 2MΩ 47MΩ 10MΩ 2kΩ 30kΩ 4.7μF 0.01μF iD VS A Ig3 思考：为何Vg与Rg3无关？ ∵ Rg3＝10MΩ≈∞ 又∵Rg1 Rg2，则VAVDD ∴ Ig3≈0，可认为在Rg3上没有压降，故Vg≈VA 可解出Q点的VGS 、 ID 已知VP ，将有 VDS =VDD- ID (Rd + R ) 再求： 计算Q点：即求出VGS 、 ID 、VDS vi vo Vg 2MΩ 47MΩ 10MΩ 2kΩ 30kΩ 4.7μF 0.01μF iD VS A Ig3 联立 该电路产生的栅源电压可正可负可为0，所以适用于所有的场效应管电路！ 注意啦 近似分析时可认为其为无穷大！ 根据iD的表达式或转移特性可求得gm。 与晶体管的h参数等效模型类比： 若Rd=3kΩ， Rg=5kΩ， gm=2mS，则 与共射电路比较。 若Rs=3kΩ，gm=2mS，则 若Rs=3kΩ，gm=2mS，则Ro=?
文档评论（0）