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三极管基础知识 三极管基础知识及工艺流程 半导体器件是50年代初发展起来的电子器件，它具有体积小，重量轻，使用寿命长，输入功率小，功率转换效率高等优点。 第一节? 半导体基础知识 在自然界中，存在着很多不同的物质，用其导电能力来衡量，可以分为三类：一类是导电能力较强的物质叫导体，金属一般都是导体; 另一类是几乎不能导电的物质叫绝缘体，如橡皮、塑料等。此外，还有一类物质，它们的导电能力介于导体和绝缘体之间，我们称它们为半导体。常用的半导体材料是硅（Si）和锗（Ge）。 由于纯净的半导体导电性较差，不能直接用来制造晶体管。人们在纯净的半导体中掺入微量杂质元素，使半导体的导电性能大大增强，这种半导体称为杂质半导体。 ? 在硅（或锗）晶体内掺入微量的三价元素硼B等，就形成了P型半导体。在硅（或锗）晶体内掺入微量的五价元素磷P等，就形成了N型半导体。在一块硅片上（或锗），用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体，另一边形成P型半导体，那么在两种不同半导体的交界面区域就形成了PN结。 PN结具有单向导电性，即电流只能从P端流向N端，不能从N端流向P端。 若当P区接电源的正极，N区接电源的负极时，PN结电阻很小，形成了较大的正向电流，且电流随外加电压的增大而增大，这种情况称PN结正向导通。 当P区接电源的负极，N区接电源的正极时，PN结电阻很大，反向漏电流很小，且漏电流几乎不随反向电压的增大而增大。因此，PN结加上反向电压时，基本上是不导电的，这种情况称PN结反偏截止。 晶体二极管就是由一个PN结构成的最简单的半导体器件。 晶体三极管就是由二个背靠背的PN结构成的半导体器件。 第二节 三极管芯片结构、类型、作用介绍 晶体三极管是按一定的工艺，将两个PN型结合在一起的半导体器件。 一、晶体三极管的结构 在一块极薄的硅或锗基片上制作两个PN结就构成三层半导体，从三层半导体上各自接出一根引线，就是三极管的三个电极，再封装在管壳里就制成了晶体三极管。 如图（B），位于中间的一层半导体称为基区，由基区引出的电极叫基极，用b表示；左面一层用来发射载流子的半导体称为发射区，由发射区引出的电极叫发射极，用e来表示；右面一层用来收集载流子的半导体称为集电区，由集电区引出的电极叫集电极，用c表示。基区和发射区之间的PN结称为发射结，基区和集电区之间的PN结称为集电结。依据基区材料是P型还是N型半导体，三极管有NPN型和PNP型两种组合型式： 二、晶体三极管的类型 依据制造材料的不同，三极管分为锗管和硅管两类。 依据三极管内部基本结构，分为NPN型和PNP型两类。 依据工作频率不同，可分为高频管（工作频率≥3MHZ）和低频管（工作频率3MHZ）。 依据用途的不同，分为普通放大三极管和开关三极管。 依据功率不同，分为小功率管（耗散功率＜1W＝和大功率管（耗散功率≥1W）。 三、三极管的电流放大作用 利用三极管的三个电极构成两个有公共端的回路，其中基极和发射极构成的回路称为输入回路，由集电极和发射极构成的回路称为输出回路，发射极是公共端。 左图为晶体管的共射极接法放大电路图，在这一接法中，晶体管起电流放大的作用： 当be回路中有小电流Ib流过时，ce回路中便会产生Ic=βIb的大电流 第三节 三极管的特性参数 一、三极管输入、输出特性曲线 三极管的特性曲线是指三极管各极上的电压和电流之间的关系曲线，是三极管内部性能的外部表现。 1．输入特性曲线 输入特性是指，当三极管的集电极与发射极之间电压VCE保持为某一固定值时，加在三极管基极与发射极之间的电压VBE与基极电流IB之间的关系。 当VCE=0伏时，也就是将三极管的集电极与发射极短接，相当正向接法的两个并联二极管。 当VCE=1伏时，集电结反偏，产生集电极电流IC，在相同的VBE条件下，基极电流IB就要减少。 当VCE1伏以后，IB与VCE几乎无关，其特性曲线和VCE=1伏那条曲线非常接近。 2．输出特性曲线 输出特性曲线是指，当三极管基极电流IB一定时，三极管的集电极电流IC与集电极电压VCE之间的关系。 从输出特性曲线簇上可以看到，每条曲线都有上升弯曲和平行部分，各条曲线的上升部分很徒，几乎重合在一起，而平行部分按IB的值从小到大，由下向上排列，反映了三极管不同的工作状态。 三极管有截止、饱和、放大三种工作状态，对应这三种工作状态，可把三极管的输出特性曲线簇分为三个区域： 截止区 即IB=0这根曲线以下的阴影部分。三极管的截止 条件是集电结与发射结都处于