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2009年攻读硕士学位研究生入学考试试题 科目代码：080903 科目名称：半导体物理学 （A 卷） 一、单项选择题（总分16分，每小题2分） 1.设半导体能带位于处，则下列叙述（ ）正确 a）能带底的电子有效质量为正 b）能带底的电子有效质量为负 c）能带底的电子有效质量为负 d）能带底附近电子的速度为负 2. 在室温时，在本征半导体的两端外加电压,则（ ） a）价带中的电子不参与导电 b）价带中的电子参与导电 c）基本能级位于禁带中央的下方 d）基本能级位于禁带中央的上方 3. 在制造半导体高速开关器件时，认为地掺入金，其目的是（ ） a）减少关断时间 b）增加电流放大倍数 c）提高击穿电压 d）增加少子寿命 4. 关于载流子浓度,对同一材料，在一定温度时，正确的说法是（ ） a）仅适用于本征半导体 b）仅适用于p型半导体 c）仅适用于n型半导体 d）以上三种情况都适用 5. 由（ ）散射决定的迁移率正比于 a）电离杂质 b）声子波 c）光子波 d）电子间的 6. 关于半导体中非平衡载流子的寿命，下列叙述不正确的是 a）寿命与材料类型有关 b）寿命与材料的表面状态有关 c）寿命与材料的纯度有关 d）寿命与材料的晶格完整性有关 7. 若pn结空间电荷区中不存在复合电流，则pn结一定在（ ）工作状态 a）反向 b）正向 c）击穿 d）零偏压 8. 在同样的条件下，硅二极管的反向饱和电流要比锗二极管的要（ ） a）大 B）小 c）相等 D）无法判断 二、多项选择题（总分24分，每小题3分） 1. 关于霍耳效应，下列叙述正确的是 a）n型半导体的霍耳系数总是负值。 b）p型半导体的霍耳系数可以是正值，零或负值。 c）利用霍耳效应可以判断半导体的导电类型 d）霍耳电压与样品形状有关。 a）空穴浓度等于价带中空状态浓度 b）空穴所带的正电荷等于电子电荷 c）空穴的能量等于原空状态内电子的能量的负值 d）空穴的波矢与原空状态内电子的波矢相同 2. 下列（ ）不属于热电效应 a）塞贝克效应 b）帕耳帖效应 c）汤姆逊效应 d）帕斯托效应 3. 半导体pn结激光的发射，必须满足的条件是（ ） a）形成粒子数分布反转 b）共振腔 c）至少达到阈值的电流密度 d）pn结必须处于反向工作状态 4. 若，则正确的是 a）金属与n型半导体接触形成阻挡层 b）金属与p型半导体接触形成反阻挡层 c）金属与n型半导体提接触形成反阻挡层 d）金属与p型半导体接触形成阻挡层 5. 下列结构中，（ ）可以实现欧姆接触 a）金属-n+-n b）金属-p+-p c）金属-p-p+ d）金属-n-n+ 6. 下列关于p+n结的叙述中，（ ）是正确的 a）p+n结的结电容要比相同条件的pn结结电容大 b）流过p+n结的正向电流中无产生电流成分 c）p+n结的开关速度要比一般pn结的开关速度快 d）p+n结的反向击穿电压要比一般pn结的低 7. 对于硅pn结的击穿电压，叙述正确的是（ ） a）击穿电压6.7V时，为雪崩击穿 b）击穿电压4.5V时，为隧道击穿 c）隧道击穿电压的温度系数为正值 d）雪崩击穿电压的温度系数为负值 8. 在理想MIS结构中，下列结论（ ）正确 a）平带电压为零 b） c）无外加电压时，半导体表面势为零 d）无外加电压时，半导体表面无反型层也无耗尽层 三、填空题（共15分，每题3分） 1. 在晶体中电子所遵守的一维薛定谔方程为 ，满足此方程的布洛赫函数为 。 2. 硅掺磷后，费米能级向 移动，在室温下进一步提高温度，费米能级向 移动。 3. 画出硅的电阻率随温度的变化关系示意图 。 4.写出p型半导体构成的理想MIS结构形成下列状态所满足的条件： ① 多子堆积______________________________________ ② 多姿耗尽______________________________________ ③ 反型______________________________________ 5. 暖电子通常指的是它的温度 晶格温度。而热电子指的是电子的温度 晶格温度。 四、解释或说明下列各名词（共15分，每小题5分） 1. 空穴 2. 准费米能级 3. pn结的雪崩击穿 五、 说明以下几种效应