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YDME扩散工序工艺培训 -----清洗、氧化、扩散、LPCVD、合金 扩散工序工艺 清洗 氧化 扩散 LPCVD 合金 扩散设备简介 扩散设备简介 炉管：负责高温作业，可分为以下几个部分： 组成部分 功能 控制柜 →对设备的运行进行统一控制； 装舟台： →圆片放置的区域，由控制柜控制运行 炉 体： →对圆片进行高温作业的区域，由控制柜控制升降温 源 柜： →供应源、气的区域，由控制柜控制气体阀门的开关。 FSI：负责炉前清洗。 清洗 硅片表面污染来源 化学清洗的去污原理 硅片的清洗 本公司清洗的具体方法 清洗 1、硅片表面污染来源 有机物沾污：包括切、磨、抛工艺中的润滑油脂；石蜡、松香等粘合剂；手指分泌的油脂及光刻胶、有机溶剂的残留物等。 金属离子、氧化物及其他无机物质：包括腐蚀液中重金属杂质离子的残留；各种磨料中的氧化物或金属离子；使用的容器、镊子、水中的金属离子沾污；各种气体、人体汗液等引入的杂质离子。 其他可溶性杂质 清洗 2、化学清洗的去污原理 有机溶剂的去污作用：硅片上的有机杂质通常使用甲苯、丙酮、乙醇去除。 无机酸在清洗中的作用： a、盐酸 利用其强酸性的特点来溶解过表面的杂质 b、硫酸 利用其强酸性、氧化性来解脱吸附在硅片表面的金属和有机物 c、硝酸 利用其强酸性和强氧化性将吸附在硅片表面的杂质除去 d、氢氟酸 利用其能腐蚀二氧化硅的特点来腐蚀石英及硅片的表面 清洗 3、硅片的清洗 Ⅰ号液是碱性的过氧化氢溶液，由高纯水、过氧化氢（30%）、浓氨水（27%）组成，配比5：1：1~5：2：1 作用：利用氨水的碱性除去能溶于碱的杂质，利用过氧化氢将金属氧化物溶于水 清洗 Ⅱ 号液是酸性的过氧化氢溶液，由高纯水、过氧化氢（30%）、浓盐酸（30%）组成，其配比是6：1：1~8：2：1 作用：利用强酸性将金属氧化物、氢氧化物、碳酸盐变为金属氯化物 清洗 Ⅲ号液是浓硫酸和双氧水=5：1的混合溶液 作用：利用强酸性和强氧化性去除硅片表面的有机沾污和金属离子 Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ号液体在一定程度上都能起到清洗硅片的作用，但综合考虑到节能降耗、减排增效，我们公司采用H2SO4+H2O2的清洗方案。 清洗 本公司清洗的具体方法 1、氧化扩散前的清洗用FSI，使用的化学清洗试剂是Ⅲ 号液 2、合金、退火前的清洗使用DI WATER 3、BSG PSG的漂洗使用HF（具体设备看下图） FSI 硅片清洗机 氧化 热氧化法概念 热氧化法是在高温下（900℃-1200℃）使硅片表面形成二氧化硅膜的方法。 热氧化目的 热氧化的目的是在硅片上制作出一定质量要求的二氧化硅膜，对硅片或器件起保护、钝化、绝缘、缓冲介质等作用。硅片氧化前的清洗、热氧化的环境及过程是制备高质量二氧化硅膜的重要环节。 氧化 一、氧化层作用 用于杂质选择扩散的掩蔽膜 缓冲介质层 电容的介质材料 集成电路的隔离介质 MOS场效应晶体管的绝缘栅材料 氧化 1、用于杂质选择扩散的掩蔽膜 常用杂质(硼,磷,砷等)在氧化层中的扩散系数远小于在硅中的扩散系数，因此氧化层具有阻挡杂质向半导体中扩散的能力。利用这一性质，在硅上的二氧化硅层上刻出选择扩散窗口，则在窗口区就可以向硅中扩散杂质，其它区域被二氧化硅屏蔽，没有杂质进入，实现对硅的选择性扩散。 氧化 图中蓝色线条区域为氧化层膜 氧化 1960年二氧化硅就已被用作晶体管选择扩散的掩蔽膜，从而导致了硅平面工艺的诞生，开创了半导体制造技术的新阶段。同时二氧化硅也可在注入工艺中，作为选择注入的掩蔽膜。作为掩蔽膜时，一定要保证足够厚的厚度，杂质在二氧化硅中的扩散或穿透深度必须要小于二氧化硅的厚度，并有一定的余量，以防止可能出现的工艺波动影响掩蔽效果。 氧化 2、氧化层用于缓冲介质层 硅与氮化硅的应力较大，因此在两层之间生长一层氧化层，以缓冲两者之间的应力 可作为注入缓冲介质，以减少注入对器件表面的损伤 氧化 图中在氮化硅与硅之间生长SiO2减小两者之间的应力 氧化 3、电容的介质材料 电容的计算公式： C=?0*?r*S/d ?0：真空介质常数 ?r：相对介电常数 S：电容区面积 D：介质层厚度 氧化 二氧化硅的相对介电常数为3-4。二氧化硅的耐击穿能力强，温度系数小，是制作电容介质的常用材料。在电容的制作过程中，电容的面积和光刻、腐蚀有较大的关系，而厚度则由二氧化硅的厚度决定。 氧化 4、集成电路的隔离介质 二氧化硅的隔离效果比PN结的隔离效果好，漏电流小，耐击穿能力强，隔离区和衬底之间的寄生