集成电路设计基础幻灯片.ppt

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2018-02-11 发布于天津
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《集成电路设计基础》;上次课内容;本次课内容; 所谓特定工艺，常常是指以一种材料为衬底、一种或几种类型的晶体管为主要的有源器件；辅以一定类型的无源器件；以特定的简单电路为基本单元；形成应用于一个或多个领域中各种电路和系统的工艺。;特定工艺;4.2 双极型集成电路的基本制造工艺 ;典型PN结隔离掺金TTL电路工艺流程图;双极型集成电路基本制造工艺步骤;双极型集成电路基本制造工艺步骤;第一次光刻——N+隐埋层扩散孔光刻 ;双极型集成电路的基本制造工艺步骤;双极型集成电路的基本制造工艺步骤;第四次光刻——N+发射区扩散孔光刻;双极型集成电路的基本制造工艺步骤;双极型集成电路的基本制造工艺步骤; 4.3 MESFET工艺与HEMT工艺;MESFET工艺;MESFET工艺;MESFET工艺; MESFET工艺;MESFET工艺;MESFET工艺的效果;高电子迁移率晶体管（HEMT）;HEMT工艺;简单的HEMT的层结构;HEMT工艺;HEMT工艺;HEMT的性能和发展;4.4 CMOS集成电路的基本制造工艺 ;P阱CMOS工艺;P阱CMOS工艺;P阱CMOS工艺;N阱CMOS工艺;N阱CMOS工艺;N阱CMOS芯片剖面示意图;双阱CMOS工艺;双阱CMOS工艺;双阱CMOS工艺;双阱CMOS工艺主要步骤;双阱CMOS工艺主要步骤;MOS工艺的自对准结构;自对准工艺示意图;自对准工艺;4.5 BiCMOS集成电路的基本制造工艺 ;BiCMOS工艺分类;以P阱CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺;标准P阱CMOS工艺实现的NPN晶体管的剖面结构示意图;标准 P阱CMOS 工艺结构特点;以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺;N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺;N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺;N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺;N阱CMOS-NPN外延衬底结构剖面图;双极工艺为基础的BiCMOS工艺 ;三种以PN结隔离双极型工艺为基础的P阱BiCMOS器件结构剖面图：;以双极工艺为基础的双阱BiCMOS工艺;双埋层双阱Bi-CMOS工艺器件结构剖面图;预习下节课：;本小节结束 (1~62);