第2章薄膜的物理气相沉积I.pptVIP

第二章 薄膜的物理气相沉积（Ⅰ） —蒸发法 引 言 第一节 物质的热蒸发 第二节 薄膜沉积的厚度均匀性和纯度 第三节 真空蒸发装置 引 言 一.定义 物理气相沉积Physical Vapor Deposition（PVD）： 利用某种物理的过程（如热蒸发和溅射），实现物质原子从源物质到薄膜的可控转移的过程。 第一节 物质的热蒸发  （Thermal Evaporation） 一、元素的蒸发速率 二、元素的蒸气压 三、化合物和合金的蒸发 一、物质的蒸发速度 1.元素的净蒸发速率 在一定的温度下，每种液体或固体物质都具有特定的平衡蒸气压。当环境中被蒸发物质的分压降低到了其平衡蒸气压以下时，就会发生物质的净蒸发。由气体分子通量的表达式，单位表面上净蒸发速率应为： 由于物质的平衡蒸气压随着温度的上升增加很快，因而对物质蒸发速度影响最大的因素是蒸发源的温度. 二、元素的平衡蒸气压 克劳修斯-克莱普朗方程指出，物质的平衡蒸气压pe随温 度T的变化率可以定量地表达为： 三、化合物和合金的热蒸发 一.化合物的蒸发 1.化合物蒸发中存在的问题： 蒸发出来的蒸气可能具有完全不同于其固态或液态的成分；（蒸气组分变化） 在气相状态下，还可能发生化合物各组元间的化合与分解过程。后果是沉积后的薄膜成分可能偏离化合物正确的化学组成。 2.化合物蒸发过程中可能发生的各种物理化学变化 无分解蒸发、固态分解蒸发和气态分解蒸发 2.合金蒸发的热力学定律描述 1）理想溶液的拉乌尔定律 当AB二元合金的两组元A-B原子间的作用能与A-A或B-B原子间的作用能相等时，合金即是一种理想溶液。由理想溶液的拉乌尔定律，合金中组元B的平衡蒸气压pB将小于纯组元B的蒸气压pB(0)，并与它在合金中的摩尔分数xB成正比，即 对于初始成分确定的蒸发源来说，确定的物质蒸发速率之比将随着时间变化而发生变化。 解决办法： 1、用较多的蒸发物质作为蒸发源； 2、采用向蒸发容器中每次只加入少量被蒸发物质的方法，使不同的组元能够实现瞬间的同步蒸发； 3、利用加热至不同温度的双源或多源的方法，分别控制和调节每一组元的蒸发速率。 第二节 薄膜沉积的厚度均匀性和纯度 一、薄膜沉积的方向性和阴影效应 二、蒸发沉积薄膜的纯度 一、薄膜沉积的方向性和阴影效应 在物质的蒸发过程中，蒸发原子的运动具有明显的方向性。并且，由于被蒸发原子的运动具有方向性，因而沉积薄膜本身的均匀性以及其微观组织也将受到影响。 由于蒸发源为一点源，因而衬底面积元dAs上沉积的物质量取决于其对应的空间角大小，即衬底上沉积的原子质量密度为 2、面蒸发源 在蒸发方法中经常使用的克努森源是在一个高温坩埚的上部开一个小口，它所形成的蒸发源相当于一个面蒸发源。 其中，影响沉积速度的参数又增加了一个与蒸发源平面法线间的夹角φ。 说明：实际情况中，cosφ为cosnφ，这是由于被蒸发的物质往往是处于蒸发容器的内部，因而造成被蒸发出来的物质流具有了更强的方向性。 3、薄膜沉积的厚度均匀性（Thickness distribution） 1）均匀性讨论 薄膜沉积的厚度均匀性是一个经常需要考虑的问题。需要同时沉积的面积越大，则沉积的均匀性越难得到保证。由薄膜沉积的速度公式，可计算出对于点蒸发源和面蒸发源的沉积厚度随着衬底尺寸大小的变化情况。 方法一 ：在同时需要蒸发沉积的样品数较多、而每个样品的尺寸相对较小的时候，经常可以改善实验装置来提高样品的均匀性，如转动衬底。 原理：将面蒸发源和衬底表面放在一个圆周上，有cosφ=cosθ=(1/2)r/ro,其中ro为相应圆周的半径。这时，衬底上沉积的物质量 定义：当蒸发源与衬底之间存在某种障碍物的时候，物质的沉积将会产生阴影效应，即蒸发出来的物质将被障碍物阻挡而不能沉积在衬底上。 二、蒸发沉积薄膜的纯度 1、影响薄膜纯度的因素： 1）蒸发源的纯度； （使用高纯物质作为蒸发源） 2）加热装置、坩埚可能造成的污染； （改善实验装置） 3）真空系统中的残留气体。 （改善真空条件 ） 第三节 真空蒸发装置(Thermal Evaporation) 一、电阻式蒸发装置 二、电子束蒸发装置 三、电弧蒸发装置 四、激光蒸发装置 一、电阻式蒸发装置 （Source） 一.电阻式加热装置对电阻材料的要求 能够在高温下使用且在高