第章晶体管应用电路(下半部分2学时)模拟电子技术及应术方案培训.pptVIP

3.甲乙类 ui 此时晶体管集电极电流导通角为 180°α 360°或 90° θ 180°（低频功放） ωt iC o α 4.丙类 ui 此时晶体管集电极电流导通角为 α180°或θ90°（高频功放） iC 0 ωt ——无输出耦合电容功放 双电源、乙类互补对称功率放大器 存在交越失真 UEQ=0 1.电路图： 3.7.2 OCL功放电路 2.OCL功率放大器的主要技术参数 (1)最大失真输出功率Pom 设输出电压为 u0＝Ucmsinωt 电流为 i0＝Icmsinωt 则 P0＝ UcmIcm＝ 最大不失真输出电压幅度: UCM=VCC－UCES 其中UCES为晶体管的饱和压降，当UCES VCC时， 有UCM≈VCC， 则最大输出功率为 Pom ≈ (3)效率η (2)直流电源供电功率PDC 两个晶体管集电极电流均为“半波整流”波形，其直流分量为 　　　　　　IC1＝IC2＝IC0＝ Icm PDC＝２×(VCCIC0)＝　 VCCIcm≈ 78%为理论值,实际一般仅为60%左右. (4)管耗PC 总管耗：PC＝PDC－P0 每只晶体管的管耗为：PC1＝PC2＝　PC 每只晶体管的最大管耗为：PCM≈0.2Pom (5)功率管的选择： ①集电极最大允许损耗功率 0.2Pom ②集－射反向击穿电压　U(BR)CEO 2VCC ③最大允许集电极电流　ICM VCC/RL 例3-8. 已知乙类互补对称功放VCC＝VEE＝24V、RL＝8Ω，试估算：(1)该电路最大输出功率Pom ；(2)最大管耗PCM；(3)说明该功放电路对功率管的要求。 解（1） ＝36W (2) PCM≈0.2Pom＝0.2×36=7.2W (3) a)选择功率管时为保证管子不被烧坏，要求管子集电极 最大允许损耗功率 0.2P0max=7.2W; b)处于截止状态的管子，其集－射反向击穿电压 　 U(BR)CEO 2VCC=48V; c)功率管最大允许集电极电流　ICM VCC/RL=3A ——克服交越失真 单电源、输出端接大电容的甲乙类互补对称功率放大器 UEQ= 1.电路图: 3.7.3 OCL功放电路 2.OTL功率放大器的主要技术参数 接入大电容起到一个负电源作用,因此OCL电路的参数与OCL区别只是将公式中的VCC换成 VCC 以上电路缺点——输出电压的最大幅度只有VCC/2，并且实际输出电压的正向峰值达不到VCC／2。因为随UA↑→RC1的电流↓→VT1管压降UCE↑ (不能进入饱和状态)→输出正向幅度↓ 解决方法——引入带自举的功放电路，即接入较大容量电容 C1（其直流电压可认为不变） 3.7.4 低频功放基本参放的测试 以OCL功放为例，测试电路如图3-54所示。图中VCC＝±15V。在测试过程中要保证在最大不失真输出的前题下进行。 　1.最大不失真输出平均功率的测量 　　在图3-48所示电路输入端加入f＝1kHZ正弦信号ui，并逐渐增大ui幅度，用示波器观察负载两端输出电压的波形，直到输出波形幅度最大而且不出现削波失真为止，用电子毫状表测量输入、输出电压Ui、Uo 。在最大不失真情况下，电路的实际输出平均功率为（负载RL＝8Ω） 　2.电源供给的平均功率 　　将电源VCC断开，串入2A直流电流表，输入端接入ui并逐渐加大，用示波器观察输出波形，当输出最大不失真时，读取直流电流表读数ICO实际电源供给平均功率PDC为 　　　　　　　　　　PDC＝VCC·ICO 　3.功率放大器的效率 输出平均功率Po与电源供给的平均功率PDC之比： 3.8场效应管f放大器 耗尽型绝缘栅场效应晶体管 增强型绝缘栅场效应晶体管 场效应晶体管 结型场效应晶体管 绝缘栅场效应晶体管 P沟道结型场效应晶体管 N沟道结型场效应晶体管 P沟道增强型绝缘栅场效应晶体管 N沟道耗尽型绝缘栅场效应晶体管 P沟道耗尽型绝缘栅场效应晶体管 N沟道增强型绝缘栅场效应晶体管 3.8.1场效应晶体管的基本特性 3.8.1场效应晶体管的基本特性 一、 结型场效应晶体管 结型场效应管简称JFET，它是利用半导体内的电场效应来工作的，因而也称为体内场效应器件。结型场效应管有N沟道和P沟道两类。 3.8.1场效应晶体管的基本特性 一、 结型场效应晶体管 3.8.1场效应