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第一章 电力电子器件 电力电子器件(2)--晶闸管 1. 晶闸管的结构与工作原理 2. 晶闸管的基本特性 3. 晶闸管的主要参数 4. 晶闸管的派生器件 1 晶闸管的结构与工作原理 晶闸管（Thyristor）——硅晶体闸流管的简称 又称：可控硅整流器SCR，简称可控硅。 晶闸管派生器件：快速晶闸管、逆导晶闸管、双向晶闸 管、光控晶闸管等。 1956年美国贝尔实验室发明了晶闸管。 1957年美国通用电气公司开发出第一只晶闸管产品。 1958年商业化。 能承受大电压和电流，工作可靠，在大容量的场合具有重要地位。 1.1 晶闸管的结构 外形有螺栓型和平板型两种封装。 有三个电极：A、K 、G 螺栓型封装，通常螺栓是其阳极，能与散热器紧密联接且安装方便。 平板型晶闸管可由两个散热器将其夹在中间。 晶闸管等效电路 （a） （b） 常用晶闸管的结构 螺栓型晶闸管 晶闸管模块 平板型晶闸管外形及结构 正向阻断：开关S断开，IG=0，?1+?2很小。流过晶闸管的漏电流稍大于两个晶体管漏电流之和。 触发导通：开关S闭合，注入触发电流IG。管子内部形成电流正反馈，V1、V2饱和，?1+?2趋近于1，流过晶闸管的电流IA急剧增大，晶闸管导通。IA实际由外电路决定。 IG Ib2 Ic2(=β2Ib2) Ib1 Ic1(=β1Ib1) 阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应（硬开通） 阳极电压上升率du/dt过高 结温较高 光触发 光触发原理制成光控晶闸管，可以应用于高压电力设备中，保证控制电路与主电路之间的良好绝缘。 只有门极触发是最精确、迅速而可靠的控制手段。 其他几种可能导通的情况： 2 晶闸管的特性 阳极伏安特性 （1）正向特性 IG=0时，器件两端施加正向电压，只有很小的正向漏电流，为正向阻断状态。 正向电压超过正向转折电压Ubo，则漏电流急剧增大，器件开通。 随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低。 晶闸管本身的压降很小，在1V左右。 导通期间，若门极电流为零，且阳极电流降至某一数值IH以下，则晶闸管又回到正向阻断状态。IH称为维持电流 。 正向 导通 雪崩 击穿 O + U A - U A - I A I A I H I G2 I G1 I G = 0 U bo U DSM U DRM U RRM U RSM 2.1 静态特性 图1-8 晶闸管的伏安特性 IG2IG1IG 反向特性类似二极管的反向特性。 反向阻断状态时，只有极小的反向漏电流流过。 当反向电压达到反向击穿电压后，可能导致晶闸管发热损坏。 图1-8 晶闸管的伏安特性 IG2IG1IG 正向 导通 雪崩 击穿 O + U A - U A - I A I A I H I G2 I G1 I G = 0 U bo U DSM U DRM U RRM U RSM （2）反向特性 工作频率低时，不需要考虑动态特性；工作频率高时必须考虑动态特性。 （1） 开通过程 延迟时间td：门极电流阶跃时刻开始，到阳极电流上升到稳态值的10%的时间 上升时间tr：阳极电流从10%上升到稳态值的90%所需的时间 开通时间ton以上两者之和， ton=td+ tr 普通晶闸管延迟时间为0.5~1.5?s，上升时间为0.5~3?s 2.2 晶闸管的动态特性 影响因素： 阳极电压大小、门极电流大小、主回路电感大小等 （1）开通过程 延迟时间td (0.5~1.5?s) 上升时间tr (0.5~3?s) 开通时间ton以上两者之和， ton=td+ tr 100% 90% 10% u AK t t O 0 t d t r t rr t gr U RRM I RM i A 反向阻断恢复时间trr 正向阻断恢复时间tgr 关断时间toff以上两者之和toff=trr+tgr 普通晶闸管的关断时间约几百微秒 晶闸管的开通和关断过程波形 （2）关断过程 2.2 晶闸管的动态特性 反向阻断恢复时间trr：正向电流 降为零到反向恢复电流衰减至接 近于零的时间 （2）关断过程 正向阻断恢复时间tgr：晶闸管要 恢复其对正向电压的阻断能力还 需要一段时间 在正向阻断恢复时间内如果重新对晶闸管施加正向电压，晶闸管会重新正向导通 实际应用中，应对晶闸管施加足够长时间的反向电压，使晶闸管充分恢复其对正向电压的阻断能力，电路才能可靠工作 关断时间toff ：trr与tgr之和，即 toff=trr+tgr （1-6） 普通晶管的关断时间约几百微秒。 动态损耗 这两部分属于静态损耗 导通时器件上有一定 的通态压降，形成 通态损耗 阻断时器件上有微小 小断