HfO,2栅介质的表面界面特性研究.pdfVIP

摘要 摘要 随着集成电路工艺的不断发展，CMOS器件尺寸随之缩小。尤其是在45nm 甚至更小的工艺节点下，传统的Si02栅氧化层介质，由于其厚度已减薄至原子尺 度范围，电子的直接隧穿效应导致栅介质的泄漏电流急剧增大，器件可靠性随之 下降。严重阻碍了器件尺寸按照Moore定律逐渐缩小的趋势。采用高介电常数栅 介质取代传统的Si02，已经成为克服这些问题的有效方法之一。 高介电常数栅介质薄膜。采用x射线衍射、x射线反射、原子力显微镜、X射线 光电子能谱仪以及透射电子显微镜等方法，研究了制备的新型高介电常数栅介质 的表面界面特性。 实验研究表明，高k栅介质薄膜具有非常优异表面一致性和比较理想的化学 稳定性。透射电子显微镜的结果显示Hf02高介电常数栅介质层的厚度为3．0nm， Si02过渡层的厚度为0．8nm。X射线光电子能谱仪的检测发现C、N等外来杂质 没有进入HfD2薄层形成化合物，且Si02过渡层具备良好的阻止Hf基硅酸盐形成 的能力。上述特性表明，原子层淀积制备的新型超薄Hf02／Si02叠栅介质薄膜具 有比较优良的表面界面特性，有能力成为下一代新型栅介质材料。 关键词：高介电常数栅介质原子层淀积二氧化铪 叠栅结构表面界面特性 Abstract Abstract are Thedimensionsofthe metal·。oxide‘。semiconductordevices complementary the tothe downwiththe of IC technology．Dueslarge scaling sustainingdevelopment which andotherlimitswhilein direct induces tunneling extremelyhugegateleakage conventionaloxidemust the45-nanometer silicon bereplacedby technology,the hafnium isthemost candidateinsulator．Withthe of oxide，which promising adoption the dielectric Moore’SLawcurvecall oninthe high—k materials，the keeping twenty-{irstcentury． 。 Inthis stackstructuredielectricfilmswere Hf02／Si02 dissertation，the gate fabricatedonthe theatomic the p-typeSi(100)substratesby layerdeposition．Aft