P型透明导电氧化物薄膜CuAlO,2和CuLaO,2的制备及性能研究.pdfVIP

摘璎 摘要 本文立足于P型透明导电薄膜的应用前景，基于价带化学修饰的材料设计理 电子技术相容的磁控溅射法成功制备出CuAll嚷Zn。02薄膜，以期在氧分压和Zn 性。另外，探索了CuLa02陶瓷及薄膜的制备工艺，并对其光电及光致发光性能 进行了分析。 首先制备出结晶性较好的CuAll．。Zn。02薄膜，可见光至近红外范围内，薄膜 的透过率在50％～80％之间。所有薄膜在200K以上都符合半导体热激活导电机 制。Hall测试，证明所有的样品都是P型半导体。x=0．5％时，薄膜具有最好的导 S 电性，室温电导率约为0．124cm-1，比x=O％的样品提高近百倍。分析了不同 氧分压对x=0．5％薄膜性能的影响，结果证明氧分压为20％的薄膜具有最高的电 导率，比没有氧分压的样品高约10倍。 从器件集成角度考虑，本文成功制各了P—CuAll．。Zn。02／n．Si异质结。室温下 所有样品的^y特性都呈现明显的整流特性。计算电压为5伏的正向与反向电流 按照p．n+单边突变结理论进行了拟合，发现界面态效应和串联电阻效应是影响该 异质结整流特性的重要因素。 利用固相反应成功制备出纯相CuLa02陶瓷。首次采用射频磁控溅射法制备 oC石英衬底上沉积，Ar保护950oC CuLa02薄膜，并进行退火研究，结果在500 退火得到了具有杂相的CuLa02薄膜。其透过率在红外光区较高，近70％，，可见 光范围相对较低。CuLa02薄膜的电导率约6．7x10‘4S cnl一。对比分析了CuLa02 nm～650 粉末及薄膜室温光致发光性。结果，粉末在450 IllTI范围有明显的发光带， 而薄膜的发光强度下降，杂峰较多，原因是薄膜样品信号比粉末弱，杂峰是由于 La203、Cu的氧化物及石英衬底的影响。 关键词P型透明导电氧化物；铜铁矿；磁控溅射；CuAl02,CuLa02 ABSTRACT ABSTRACT The isbasedonthe of paper potentialpracticalapplicationsp-typetransparent conductiveselectes and asthemain oxidej CuAl02CuLa02 subjectinvestigated， oftheValenceBand． whichare withthe oftheChemicalModulation accordingtheory thin withthe structurewere films delafossite CuAll．xZnx02 successfullyprepared RF transmittanceisabout50％～80％inthevisible magnetron using sputtering．The of carlbedescribeda lightrange．Thetemperaturedependenceconductivity by the a