倒置型PLED研究及a-Si PINPLED器件模拟分析.pdfVIP

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2018-02-09 发布于浙江
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倒置型PLED研究及a-Si PINPLED器件模拟分析.pdf

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倒置型PLED研究及a-Si PINPLED器件模拟分析

摘要本文主要做了两方面的工作：型堡型!婴墨仕的初步研究以及a—si Light-Emitting P1N／PLED(Polymeric Device)里堡里丞焦壁器佳的堡垫坌辑。我们制备了ITO／CuPc／MEH—PPV／AI结构的倒置型有机发光器件，它具有良好的I．v特性，其开启电压约为8v，发桔红色的光。实验结果证明了倒置型PLED 器件的可行性。我们还设计了～种将薄膜a—SiPIN光敏单元与PLED有机发光单元合二为 ‘的新型图像传感显示器件。其中，a．SiPIN工作在反向饱和状态，PLED工作在正向偏置发光状态。通过分别对薄膜a—siPIN以及PLED建模以及根据叠层器件的串联结构特点，我们对a—SiPIN／PLED器件单个耦合像元的I．v特性厂进行了模批结果表明：＼ 1)a—Si PIN光敏单元的灵敏度对器件灵敏度具有决定性的影响； 2)降低a-SiPIN光敏单元的隙态密度能有效地展宽a～SiPIN／PLED图像显示传感器件的线性响应区域； 3)器件驱动电压的降低主要通过增大PLED的幂指数因子／11,来实现； 4)器件的应用领域的不同，对a-SiPIN光敏单元的并联等效电阻R的大、小有不同的要求。卜≥一一另外，我们的实际a—siPIN／PLED器件的I—V特性与理论模拟结果比较一致，这证明了模拟结果的正确性和a—siPIN／PLED器件的可行性。 PIN、a—Si 炔键词：倒置型、PLED、a—Si PIN／PLED、显示传感／、 Abstract PLED inthis ofinverted done be study work of paper：the Thereare啪pieces filma—Si and ofthin simulation the analysis Device)and Light-Emitting (Polym谢c PIN／PLED device sensor／display ITO／CuPc／MEH- of withstructure Wefabricated devices light．emitting organic devices