[工学]第七章存储器.ppt

设输入的一位二进制数X为被加（减）数，另一位二进制数Y为加数（减数），Z为低位向本位的进位（借位）。输出端W为和（差），N为本位向高位的进位（借位）。 　　（2）依题意列出真值表 　　（3）画出卡诺图 （4）化简卡诺图得最简函数表达式 （5）画出PLA阵列图 ［例题］分别用ROM和PLA实现下列函数，分别画出相应的电路图。 F1（ABCD）＝∑m（0，1，2，4，9，10，11，12） F2（ABCD）＝∑m（0，2，5，10，11，13，14， 15） F3（ABCD）＝∑m（1，4，5，9，10，11，13，14， 15） 　【解】1.用ROM实现，由表达式直接画出电路，如图所示。 2.用PLA实现 （1）先将逻辑函数F1、F2、F3填入卡诺图进行化简 （2）画出阵列图 第四节　随机存取存储器（RAM） 　一、功能及结构 　　RAM电路（Random Access Memory ）是一种能够选择任一存储单元存入或取出数据的存储器,是计算机的重要记忆部件，用来存储数据或指令。由于它既能读出又能写入数据，所以又叫“读／写存储器”。显然它的功能比ROM完善，电路也比ROM复杂。 　　◆RAM分为双极型和MOS型两种。双极型RAM工作速度高，但制造工艺复杂，成本高，功耗大，集成度低，主要用于高速场合；MOS型 RAM又分为静态MOS和动态MOS两种，制造工艺简单，成本低，功耗小，集成度高，但工作速度比双极型RAM低。目前大容量的RAM都采用MOS型存储器。 ◆　RAM的优点是读写方便，使用灵活；缺点是断电后存于RAM的信息会丢失。 　　1.　RAM的基本结构 　　 ◆数据的输入输出通道是共用的，读出时，它是输出端；写入时它是输入端。 　◆对于2n×m字位容量的RAM电路，它共有n位地址输入线（即有2n个字）和m位数据输出线。 　◆一般RAM电路还有片选控制端S，S＝“1”时，RAM可在读/写控制输入R/W的作用下作读出或写入操作；S＝“0”时，RAM被禁止读写。　 　2.　16×1多字一位的RAM结构框图 二、RAM的存储单元电路 　　RAM存储单元有双极型和单极型（MOS）两种不同类型电路。双极型电路速度高；单极型功耗低，容量大。在要求存取速度快场合常用双极型RAM电路，对速度要求不高时，常用MOS RAM存储器。　 　1.双极型RAM电路存储单元 　　双极型RAM电路存储单元有TTL、ECL、I2L型等多种电路。现以如下图所示存储单元为例，来说明其工作原理。 　　（1）电路结构 2）电路原理 　　　◆T1、T2管为多发射极三极管，它们的基极和集电极的信号电平是作相反变化的，即基极电位高，集电极电位低；基极电位低，集电极电位高。每个管子及它的集电极电阻R构成一个反相器，二个管子形成一个基本触发器，可保证存一位二进制数，此触发器的状态可由输出Q、 的状态来表示。 本章小结 通过本章的学习要求做到： 　1.了解存储器的概念，知道存储器是数字系统中记忆大量令牌的数字部件，了解存储器的分类情况。 　2.理解只读存储器的功能和结构，熟悉ROM电路的阵列逻辑图，掌握ROM电路“字”、“位”的应用，知道PROM、EPROM的概念及典型的EPROM集成芯片2732的工作情况。 　3.理解可编程序逻辑电路PLA的基本概念，熟悉它的结构及应用，请特别注意它与一般ROM电路之间的异同。知道PAL和GAL的概念。 4.了解随机存取存储器的功能和结构，知道双极型、单极型常用的RAM存储单元电路及其特点。知道典型的RAM集成芯片6116的工作情况。 作业：《数字电子技术基础（第二版）》教、学指导书 P101 8-1、8-2（自学） P104 8-7、8-8 P106 8-10、8-11（自学） P107 8-12、8-13 P108 8-15、8-16（自学） 三、PROM和EPROM 　1.PROM 　　PROM为可编程只读存储器（Programmable Read Only Memory ），可由使用者根据编程要求，将应该存储信息一次写入PROM中，写好后就不可更改。所以它只能写入一次。 　　PROM电路的特点是在与或阵列的各个交叉点上均有熔丝和存储元件串接的电路，如图所示： PROM 与门阵列是固定的，或门阵列可编程。 当用户要在某处存“0”信号，可按地址供给数十毫安的脉电流，将该处熔丝烧断，使串接的存储单元不再起作用，在则未熔断的地方，则表示存“1”的信息。这种ROM可实现一次编程要求，若编写结束，存储器中存储信息就已固化，不可能改编入别的信息。 16×8位PROM的结构原理图 由存储矩阵、地址译码器和输出电路组成。 2.　EPROM （1）EPROM的概念 　　EPROM即光擦可编程