[理学]扫描隧道显微镜和原子力显微镜课件 STM与AFM.pdfVIP

扫描隧道显微镜 Scanning Tunneling Microscope (STM) Introduction 在科学发展史上直观地观察原子、分 子一直是人们长期以来梦寐以求的愿 望。1982年IBM公司苏黎士研究实验 室的Gerd Bining与Heinrich Rohrer博 士研制出一种新型显微镜--扫描隧道显 微镜，终于使这一愿望成为现实。 原理 经典电子理论： 金属体内存在大量“ 自由” 电子，从经典物 理学来说，这些“ 自由” 电子在金属体内能量分 布如图所示。在绝对零度时，所有自由电子的 能量都小于费米能级EF, 随着温度的升高，一部 分电了的能量可以大于费米能级，大于费米能 级的电子的数量随着温度的升高而增加，另一 方面经典物理学还认为在金属边界上存在着一 个能量比费米能级EF高的位垒φ，在金属内“ 自 由” 电子，只有能量高于位垒的那些电子才可能 从金属内部逸出到外部。 原理 量子力学： 认为金属中的自由电子还具有波动性，这种 电子波φ1向金属边界传播，在遇到表面位垒 时，部分反射为φ ，部分透过为φ 。这样， R T 即使金属温度不是很高，仍有部分电子穿透金 属表面位垒，形成金属表面上的电子云。这种 效应称为隧道效应。 Theory I: Quantum Barrier Potential barrier 0 for | x | d/2  ( ) V x  V for | x | d/2  0 Schroedinger’s equation of motion d 2 u (x ) 2m    V E u (x ) 0 dx 2 2 0 Electron (mass m, energy E) has finite probability of ‘tunneling’ through P (E ) e2 kd k 2m(V E ) / 2 0 Theory II: Tunneling Current insulator • Applied voltage bias, V • Tunneling electron gains energy eV