以光学邻近修正为方法之奈米级制程可制造性导向设计-南台科技大学.PDFVIP

行政院國家科學委員會補助專題研究計畫成果報告行政院國家科學委員會補助專題研究計畫成果報告 行政院國家科學委員會補助專題研究計畫成果報告行政院國家科學委員會補助專題研究計畫成果報告 以光學鄰近修正為方法之奈米級製程可製造性 導向設計研究 子計畫二:相偏移光罩之最佳化佈局設計之研究 計畫類別 ：□個別型計畫 ▉整合型計畫 計畫編號 ：NSC 96-2220-E-218-002- 執行期間 ： 95 年 8月 1日至 97 年 7月 31 日 計畫主持人 ：王立洋 計畫參與人員 ：陳昭志、洪奕睿、蔡維哲、紀孫耀、田政生 本成果報告包括以下應繳交之附件 ： ▉赴國外出差或研習心得報告一份 □赴大陸地區出差或研習心得報告一份 □出席國際學術會議心得報告及發表之論文各一份 □國際合作研究計畫國外研究報告書一份 執行單位 ：南臺科技大學電子工程系暨研究所 中 華 民 國 97 年 10月 1日 1 中文摘要中文摘要 中文摘要中文摘要 本上將相位指定的問題等化 隨著半導體製程技術的進步 ，已經可以做到奈米級的積 體電路 。然而由於製程中光學顯影所需的光源波長的限制 ，使得傳統的做法已經無 法適用，必須加上解析度增強技術 (Resolution Enhancement Technology, RET) 才能彌補 這個問題 。 相偏移光罩 (Alternating-Aperture Phase Shift Masking, AA-PSM)就是一 種解析度增強技術的方式 。 在製作佈局圖 (Layout)時，採用相偏移光罩 (Phase shifting mask, PSM)的技術 ，必 須先指定好各個重點部份的相位 (Phase Assignment) 。 基本上每個重要的 feature 兩 側，必須指定不同之相位光罩 ，這樣一來 ，便有可能產生相位衝突的問題 。相位衝 突發生的位置及數量會受到相位指定順序的影響。因此，如何解決這個問題便非常重 要。本子計劃之重點在於如何設計出沒有相位衝突問題的 元件佈局圖 ，以解決相位衝 突的問題 。 我們提出以一個新的方法 ，用以自動產生一個沒有相位衝突的元件庫零件 。 我 們的方法是改良參考文獻 [2] 之方法 : 將問題轉換成解決 Boolean Satisfiability 之 問題 [1]。所有設計規則之考量 ，如電晶體的擺置 (placement)、訊號繞線(routing) 、 PSM 之考量 ，全部轉化成 對應之 布林等式(Boolean equations) 。透過求符合所有限制的一 組最佳解 目的函數為元件寬度( ) ，我們可以將其轉化成一個元件佈局 。 我們並提出 一些簡化限制的方法 ，可以讓我們的演算法執行上更有效率。 關鍵詞關鍵詞 ：光罩、PSM 、佈局(Layout) 、EDA 關鍵詞關鍵詞 2 英文摘要英文摘要 英文摘要英文摘要 As the advance of technology, nano scale IC becomes reality. However, since the feature size is below the wave length of light source for optical lithography, it needs Resolution Enhance Techniques(RET), such as Phase Shifting Mask (PSM), to maintain IC yield.