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单晶炉热屏的发展现状 ◇周鸿军 上海太阳能工程技术研究中心 在半导体硅单晶的制备中，大都 本某公司给中国设计的6英寸单晶炉 是利用切克劳斯基 (Czochralski)法 没有热屏，其平均能耗就很高 ，达到 来制备(简称CZ法)，特别是 目前太阳 l20kwh。1973年石油危机后，发达国 能级硅单品的生产中，几乎全部采用 家进一步重视节能，因此在节能和成 这种方法来制备硅单晶，以满足太阳 本竞争的推动下，单晶炉高能耗问题 能电池的需要。在 目前全球常规能源 的解决就已经被提上了重要议程 ，因 4 短缺的情况下，太阳能光伏发电成为 而先于我国有效地解决了这个问题， 绿色再生能源的重要组成部分，得到 其中重要的有效方法就是采用热屏技 26 各国政府的大力扶持和发展 ；与此同 术。 6 时 ，我国针对 目前国内的高污染、高 能耗 [、1Ⅱ，现状 ，开展了大规模的节能 =、固定热屏时期 降耗行动 ，硅材料领域也不例外。 由图1可 以发现 ，这种没有热屏 在采用CZ法制备硅单晶的过程 热场的缺陷非常明显，电加热的热量 中，如何提高拉晶效率及降低能耗一 有很多白白浪费。早期美国以专利的 直是节能降耗研究的重点；其中节能 ● 形式公布了固定热屏的技术，请见图2 图1 没有热屏的单昌炉热场示意图 降耗的重要措施就是降低热场的热 中 “热屏”所示。 量损失 ，其中采用热屏 (屏蔽热量扩 由图2可见，热屏是依靠重力压 散的装置)就是降低能耗并改善热场 分利用，从而导致单晶炉的能耗 比较 在热场零件2O之上的，没有动力装置， 的一种非常有效的方法措施。 高。以6英寸单晶炉60kg装料量为例， 是固定不动的。这种技术的采用，无疑 平均能耗达到120kWh是普遍现象， 是对单晶炉高能耗的重大改善，使得 一 ． 无热屏时期 甚至达到150kWh，我国现阶段仍然 电加热的热量大部分被限制在热场零 在早期的单晶炉设计中，是没有 有不少6英寸单晶炉的平均能耗达到 件附近，只有少部分热量沿硅单晶棒 热屏这个概念的，即没有热屏这种实 120kWh，这不能不说是我国单晶炉 周围附近的液面 向上辐射掉 ；并且显 际应用的装置，单晶炉热场的具体图 高能耗的原因之一。我国单晶炉的能 著增加了纵向温度梯度，提高了单晶 示如 I。 耗始终没有降