第六章 光刻PPT.pptVIP

光掩膜版和投影掩膜版 4:1 Reticle 投影掩模版 1:1 Mask 掩模版的种类 – 超微粒干版 在玻璃基片上均匀涂敷一层以明胶为分散介质，含有极细感光材料的乳胶层构成。 价格低，但是耐磨性差，针孔也多。 – 铬版 金属铬膜与玻璃有很强的粘附性，而且铬质地坚硬，耐磨 铬膜光密度大，0.08微米相当于4微米的乳胶膜 铬的化学稳定性好 – 彩色版（Fe2O3 氧化铁版） ? 掩模版的大小 – 4” x 4” x 0.060” for 3-inch wafers – 5” x 5” x 0.060” for 4-inch wafers 掩模版的制作（1） 刻图缩微制版技术：从印刷工业中的印刷制版技术移植到微电子工艺技术中来的。 首先需要根据半导体器件或集成电路电学参数的要求、工艺条件和精度的要求确定适当的放大倍率来绘制掩模原图。 然后利用缩微照相技术或图形发生系统制作掩模原版，亦称中间掩模版。 为了能在同一个硅片上同时制作多个电路芯片而且又便于切割成单个芯片，中间掩模版的图形还要用具有分步重复功能的精密缩小照相机进一步缩小到实际芯片尺寸。同时，让同一图形在纵横两个方向按一定的间距重复曝光，制成含有芯片图形阵列的母掩模版。最后复印出供给生产上光刻工艺使用的工作掩模版。 掩模版的制作（2） 计算机辅助设计光学图形发生器制版技术系统：随着半导体器件、集成电路、大规模集成电路制作技术的发展，研制成功计算机辅助制版系统和由它控制的自动制图机、光学图形发生器等高精度自动制版设备，以及激光图形发生器、电子束图形发生器等新的制版设备，形成了半导体工艺技术中所特有的高精度光掩模制作技术体系。尤其是电子束图形发生器，具有很高的分辨率和高速扫描成像系统，不但可用于制作中间掩模版，而且还能取代分步重复设备直接制作出含有芯片阵列图形的母掩模版或工作掩模版。然后，再利用各种光刻设备把光掩模图形转移到硅片表面的光致抗蚀层上。这种技术在大规模和超大规模集成电路制作工艺中起着越来越重要的作用。 * 第六章 光刻技术 光刻技术 定义：是一种图形转移技术，将光刻版（掩模版）上的图形转移到涂有光敏材料，即光刻胶的硅片上。 光刻三要素 Used for preparing the substrate of a wafer for the subsequent processing stage. Elements (三要素） 1）Light source – light, X-ray, electron or ion beams – Ultraviolet (UV) light with a wavelength of 250-450 nm is used for silicon process 2）Mask( 掩模板） – a chromium pattern on a light transparent substrate (glass). 3)Resist （光刻胶） – sensitive to the light source, about 1μm thick, applied on the silicon wafer or another deposition layer – positive and negative resist 8) Develop inspect 5) Post-exposure bake 6) Develop 7) Hard bake UV Light Mask ? ? 4) Alignment and Exposure Resist 2) Spin coat 3) Soft bake 1) Vapor prime HMDS六甲基二硅胺烷 光刻的流程 光刻的光源 Visible Radio waves Micro- waves Infrared Gamma rays UV X-rays f (Hz) 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 4 6 8 10 12 14 16 22 18 20 ? (m) 4 2 0 -2 -4 -6 -8 -14 -10 -12 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 365 436 405 248 193 157 g h i DUV DUV VUV l (nm) Common UV wavelengths used in optical lithography. 高压汞灯 电流通过装有氙汞气体的管子产生电弧放电。这个电弧发射出一些特征光谱,包括240nm到500nm之间有用的紫外辐射。 120 100 80 60 40 20 0