EDA课程设计报告N沟道MOS管工艺模拟与器件模拟详解.docVIP

天津工业大学 毕业实践实习报告 N沟道MOS管工艺模拟与器件模拟 班 级： 电科1103 学 号： 1110940316 姓 名： 汪兆明 成 绩： 2015年4月1日 一、实践目的 熟练氧化、离子注入与扩散工艺，使用Silvaco软件进行模拟，掌握CMOS工艺流程。学会用Silvaco软件提取MOS晶体管的各种参数，掌握用SILVACO工具对MOS晶体管进行器件模拟 二、实践要求 用Anthena构建一个NMOS管，要求沟道长度不小于0.8微米，阈值电压在-0.5v 至 1V之间。 工艺模拟过程要求提取S/D结结深、阈值电压、沟道表面掺杂浓度、S/D区薄层电阻等参数。 进行器件模拟，要求得到NMOS输出特性曲线族以及特定漏极电压下的转移特性曲线，并从中提取MOS管的阈值电压和值。 分析各关键工艺步骤对器件性能的影响。 三、操作步骤 1、启动silvaco软件。 2、创建一个网格并定义衬底的参数。 3、由于本实验运用了cmos工艺，所以先在衬底上做一个p阱，严格定义p阱的浓度，注入能量，以及阱区的推进。 4、生长栅氧化层，严格控制各参数。 diffus time=10 temp=950 dryo2 press=1.00 hcl.pc=3 5、淀积多晶硅，其厚度为0.2um。 6、刻蚀掉x=0.35左面的多晶硅，然后低剂量注入磷离子，形成轻掺杂层，剂量为3e13，能量为20kev。 7、淀积氧化层，然后再进行刻蚀，以进行下一步的源漏区注入。 8、进行源漏砷离子的注入，剂量为4e15，能量为40kev。 9、淀积铝，形成S/D金属接触。 10、进行向右镜像操作，形成完整的nmos结构并定义电极。 11、抽取源漏结深，阈值电压，n+区薄层电阻，沟道表面掺杂浓度，轻掺杂源漏区的薄层电阻等参数。 12、描述输出特性曲线并绘出。 13、描述转移特性曲线并绘出，同时从中提取MOS管的阈值电压和值。 四．测试结果 4.1 测试结果分析 4.1.1.工艺图 4.1.2.获取器件参数 在这一部分，我们将提取这半个NMOS结构的一些器件参数,这些参数包括： a.结深 b.N++源漏方块电阻 c.边墙下LDD区的方块电阻 d.长沟阈值电压计算结深 计算结深的语句如下： extract name=nxj xj silicon mat.occno=1 x.val=0.1 junc.occno=1 获取N++源/漏极薄层电阻 extract name=n++ sheet rho sheet.res material=Silicon mat.occno=1 x.val=0.05 region.occno=1 测量沟道阈值电压 extract name=n1dvt 1dvt ntype vb=0.0 qss=1e10 x.val=0.49 在这条extract语句中，1dvt指测量一维阈值电压；ntype指器件类型；x.val=0.49为器件沟道内一点；qss=1e10指浓度为1e10cm-3的表面态电荷；vb=0.0栅极偏置0V。 沟道表面掺杂浓度 extract name=chan surf conc surf.conc impurity=Net Doping \ material=Silicon mat.occno=1 x.val=0.45 抽取参数 nxj=0.34326 um n++ sheet rho=73.3932 ohm/square n1dvt=0.607028 V chan surf conc=6.14477e+016 atoms/cm3 4.1.3. NMOS输出特性曲线族 ATLAS # extract max current and saturation slope ATLAS EXTRACT init infile=nmos4.log EXTRACT extract name=nidsmax max(i.drain) nidsmax=0.000442929 EXTRACT extract name=sat_slope slope(minslope(curve(v.drain,i.drain))) sat_slope=1.47523e-005 EXTRACT quit 抽取参数 nidsmax=0.000442929 sat_slope=1.47523e-005 4.1.4. 转移特性曲线 4.1.5. 提取MOS管的阈值电压和值 抽取参数 nvt=0.583053 nbeta=0.00011