模拟电路课件第1章常用半导体器件PPT.ppt

4.集电极最大电流ICM 集电极电流IC大到一定程度时，会导致三极管的?值下降，当?值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。 5.反向击穿电压 UCBO：发射极开路时集电极-基极间的反向击穿电压 UCEO：基极开路时集电极-发射极间的反向击穿电压 UEBO：集电极开路时发射极-基极间的反向击穿电压 6. 集电极最大允许功耗PCM 集电极电流IC 流过三极管所产生的功耗为 PC =ICUCE PC太大必定导致结温上升,所以PC 有限制。 PC?PCM IC UCE PCM=ICUCE=常数 ICM U(BR)CEO 安全工作区 1.3.5 温度对晶体管特性及参数的影响 1、对ICBO的影响：温度升高， ICBO增大 2、对输入特性的影响 3、对输出特性的影响 由PNP型三极管组成的基本放大电路： IC IB VCC Rb VBB c b e RC IE IC U CE 0 UBE IB 电源电压为负。同样具有三个区： 放大区：发射结正偏，集电结反偏 饱和区：发射结，集电结均正偏 截止区： |UBE| VON P N P 特性曲线 1.3.6 光电三极管 光电三极管根据光照的强度来控制集电极电流的大小 光电三极管的等效电路、符号和外形 光电三极管的输出特性曲线 §1.4 场效应管 场效应管是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，它仅靠多数载流子导电,又称单极型晶体管。 场效应管不但具有双极型晶体管体积小、重量轻、寿命长等优点，而且具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、能耗低等优点。 结型场效应管:JFET 绝缘栅型场效应管:MOS 场效应管有两种: 1.4.1 结型场效应管 一、结型场效应管的结构 栅极 源极 漏极 结构示意图和符号： N型导电沟道 两边是P区 基底 ： N型半导体 栅极 源极 漏极 d g S d g S 二、工作原理（以N沟道为例） 为使N沟道结型场效应管正常工作，应在栅源之间加负电压，以保证耗尽层反偏；在漏源之间加正电压，以形成iD 1、UDS=0V时，UGS对导电沟道的控制作用 UGS=0有导电沟道R较小 UGS(off)UGS0 沟道变窄R增大 UGS?UGS(off) 沟道夹断R≈∞ 耗尽层闭合，沟道消失时的UGS称为夹断电压UGS(off) 2、UGS(off)UGS0 时，UDS对漏极电流iD的影响 UDS=0,iD=0 UDS增加（未夹断） iD增加UGDUGS(off) 宽 UDS再增加到预夹断UGD=UGS(off) UDS再增加，夹断区加长, iD不再增加UGDUGS(off) 3、UGDUGS(off) 时，UGS对漏极电流iD的控制作用 UGD= UGS -UDS UGS(off) 时，UDS再增加，夹断区加长, iD不再增加—→恒流区。此时，可通过改变UGS来控制iD的大小。 ∣UGS∣减小， iD增加。故称场效应管为电压控制元件。 低频跨导gm： 场效应管用gm来描述动态栅源电压对漏极电流的控制作用。 三、特性曲线 1. 转移特性(N 沟道结型场效应管为例) O UGS ID IDSS UGS(off) 图 1.4.6　转移特性 UGS = 0 ，ID 最大；UGS 愈负，ID 愈小；UGS = UGS（off），ID ? 0。 两个重要参数 饱和漏极电流 IDSS(UGS = 0 时的 ID) 夹断电压 UGS（off），(ID = 0 时的 UGS) UDS ID VDD VGG D S G V ? + V ? + UGS 图 1.4.5　特性曲线测试电路 + ? mA 1. 转移特性 O uGS/V ID/mA IDSS UGS(off) 图 1.4.6　转移特性 2. 漏极特性 　　当栅源 之间的电压 UGS 不变时，漏极电流 ID 与漏源之间电压 UDS 的关系，即 结型场效应管转移特性曲线的近似公式： ≤ ≤ IDSS/V ID/mA UDS /V O UGS = 0V -1 -2 -3 -4 -5 -6 -7 预夹断轨迹 恒流区 击穿区 可变电阻区 漏极特性也有三个区：可变电阻区、恒流区和击穿区。 2. 漏极特性 UDS ID VDD VGG D S G V ? + V ? + UGS 图 1.4.5　特性曲线测试电路 + ? mA 图 1.4.6(b)　漏极特性 　　场效应管的两组特性曲线之间互相联系，可根据漏极特性用作图的方法得到相应的转移特性。 UDS = 常数 ID/mA 0 -0.5 -1 -1.5 UGS /V UDS = 15 V 5 ID/mA UDS /V 0 UGS = 0 -0.4 V -0.8 V -1.2 V -1.6