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太阳电池工作原理及制造 无锡尚德太阳能电力有限公司 (SUNTECH POWER CO. LTD.）太阳电池—将太阳光能直接转换为电能的半导 体器件● 种类 ● 硅太阳电池 1)?Si太阳电池1)单晶硅片 2)?GaAs太阳电池2)多晶硅片 3)?染料敏化电池3)非晶硅薄膜 4)?Cu2S电池4)多晶硅薄膜第一部分太阳电池制造——结构与设计原理硅片的制造过程太阳电池工作原理太阳电池是一个大面积的PN结二极管，利用PN结的光生伏特效应能把太阳辐射（光能）直接转化为电能。[光生伏特效应：半导体二极管吸收光能后在PN结两端产生电压的效应。]太阳能电池的等效电路太阳能电池的结构太阳能电池外观硅片装盒超声波清洗去除硅片损伤层和形成绒面*甩干磷扩散形成p-n结*等离子体边缘腐蚀腐蚀表面磷硅玻璃甩干PECVD沉积SiN*印刷背面电极烘干印刷铝背场烘干印刷正面电极烧结*测试包装太阳能电池的制造过程第二部分太阳电池制造——制造过程及工艺去除硅片损伤层和制绒目的：去除硅片表面的切割损伤层，同时形成减少光反射的绒面。原材料：硅片、酸碱溶液、纯水等。设备：单晶制绒机、多晶制绒机。单晶绒面照片去除硅片损伤层和制绒多晶绒面照片去除硅片损伤层和制绒磷扩散目的：在P型硅片表面扩散N型层，形成PN结。原材料：制绒后的硅片、三氯氧磷、氧气和氮气。设备：扩散炉。扩散设备示意图扩散原理采用POCl3液态源开管扩散制结，制出的结均匀性好,方块电阻的不均匀度＜10%，少子寿命＞10μs。扩散过程中所发生的化学反应为：4POCl3 + 3O2 （过量）2P2O5 + 6Cl2（气）2P2O5 + 5Si 5SiO2 + 4PPN结—太阳能电池的心脏扩散的目的：形成PN结边缘刻蚀和去除磷硅玻璃目的：去除扩散后硅片边缘和背面多余的N型层；去除扩散后硅片表面的磷硅玻璃层PSG。原材料：扩散后的硅片、四氟化碳—氧气—氮气系统、酸的腐蚀液—纯水系统。设备：刻蚀机、去PSG清洗机。刻蚀原理等离子体刻蚀是采用高频辉光放电反应，使反应气体激活成活性粒子，如原子或游离基，这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位，在那里与被刻蚀材料进行反应，形成挥发性反应物而被去除。这种腐蚀方法也叫做干法腐蚀。扩散过程中，在硅片的周边表面也形成扩散层，使电池短路，须去除。利用辉光放电中氟离子与硅发生化学反应，产生挥发性的产物SiF4，达到边缘腐蚀的目的，化学反应为：CF4 + O2 F*+O*+COF*+COF2*+CO+…其中，COF*寿命较长，COF* F*+COSi + 4F* SiF4（气） 等离子体刻蚀反应去PSG用化学方法除去扩散层。SiO2与HF生成可溶于水的络合物SiF6，从而使硅片表面的磷硅玻璃（掺P2O5 的SiO2）溶解，化学反应为：SiO2+ 6HF = H2（SiF6）+2H2O镀减反射膜目的：降级硅片表面反射、形成表面钝化。原材料：清洗后的硅片、硅烷和氨气。设备：等离子增强化学气相沉积设备PECVD。PECVD原理PECVD:等离子增强化学汽相沉积，利用硅烷和氨气在等离子状态下的反应在太阳电池表面沉积深蓝色光学减反膜-SiN膜。其还具有卓越的抗氧化和绝缘性能，同时具有良好的阻挡钠离子、掩蔽金属和水蒸汽扩散的能力；它的化学稳定性也很好，除氢氟酸和热磷酸能缓慢腐蚀外，其它酸与它基本不起作用。 丝网印刷银电极及铝背场目的：在硅片表面印刷电极浆料。原材料：镀膜后的硅片、银浆、银铝浆和铝浆。设备：丝网印刷机和烘干炉。主栅线铝背场焊接条副栅线丝网印刷银电极及铝背场主栅线铝背场焊接条副栅线丝网印刷银电极及铝背场金属化目的：让浆料和硅片形成良好的接触，成为输出电能的电极。原材料：印刷后的硅片。设备：烧结炉。CurrentVoltage分类检测目的：对做好的电池片进行测试分类。原材料：烧结后电池片。设备：电池片分选机。分类检测