[工学]晶体管原理3-8_陈星弼+张庆中.ppt

6、共发射极高频小信号短路电流放大系数及其截止频率 将　　　　　　　　　　 代入，得： 若忽略　　 ，得： * 3.8 电流放大系数与频率的关系 当晶体管对高频信号进行放大时，首先用被称为 “偏置” 或 “工作点” 的直流电压或直流电流使晶体管工作在放大区，然后 把欲放大的高频信号叠加在输入端的直流偏置上。 当 信号电压的振幅远小于 ( kT/q ) 时，称为 小信号。这时晶体管内与信号有关的各电压、电流和电荷量，都由直流偏置和高频小信号两部分组成，其高频小信号的振幅都远小于相应的直流偏置。各高频小信号电量之间近似地成 线性关系。 电流、电压和电荷量的符号（以基极电流为例） 总瞬时值： 其中的直流分量： 其中的高频小信号分量： 高频小信号的振幅： 由于各小信号电量的振幅都远小于相应的直流偏置，而且是叠加在直流偏置上的，所以可 将小信号作为总瞬时值的 微分来处理 。仍以基极电流为例，即： 或 随着信号频率 f 的提高， 和 的幅度会减小，相角会滞后。 以 分别代表高频小信号的发射结注入效率、基区输运系数、共基极和共发射极电流放大系数 ，它们都是复数。对极低的频率或直流小信号，即当 ω → 0 时，它们分别成为 。 以 PNP 管为例，高频小信号电流从流入发射极的 ie 到流出集电极的 ic ，会发生如下变化： ie ipe ipc ipcc ic ie ic CTE CDE CTC 3.8.1 高频小信号电流在晶体管中的变化 3.8.2 基区输运系数与频率的关系 1、高频小信号基区输运系数的定义 基区中到达集电结的少子电流的高频小信号分量 与从发射区注入基区的少子形成的电流中的高频小信号分量 之比，称为 高频小信号基区输运系数，记为 。对于 PNP 管，为 基区输运系数随频率的变化主要由少子的基区渡越时间所引起。 (1) 复合损失使 的物理意义：基区中单位时间内的复合率为 ，少子在渡越时间 ?b 内的复合率为 ，因此到达集电结的未复合少子占进入基区少子总数 ，这就是 。这种损失对直流与高频信号都是相同的。 2、基区渡越时间 的作用 (2) 时间延迟使相位滞后 对角频率为ω 的高频信号，集电结处的信号比发射结处在相位上滞后ω?b ，因此在 的表达式中应含有因子 。 (3) 渡越时间的分散使 减小 已知在直流时， ，现 假定 上述关系也适用于高频小信号，即： 3、由电荷控制法求 高频小信号空穴电流的电荷控制方程为 当暂不考虑复合损失时，可先略去复合项 。 基区 ipe ipc 代入略去 　 后的空穴电荷控制方程中，得： 再将复合损失考虑进去，得： 上式可改写为 一般情况下， 得： 式中，　　　　 代表复合损失，　　 代表相位的滞后， 代表 ?b 的分散使 的减小。 4、 在复平面上的表示 △OPA与△OAB 相似，因此， 可见，半圆上点 P 的轨迹就是 。 由于采用了 的假设而使 的表达式不够精确 ，因为这个假设是从直流情况下直接推广而来的。但是在交流情况下，从发射结注入基区的少子电荷 qb ，要延迟一段时间后才会在集电结产生集电极电流 ipc 。 计算表明，这段延迟时间为 ，m 称为 超相移因子，或 剩余相因子，可表为 5、延迟时间 对于均匀基区，η = 0， m = 0.22 。 这样，虽然少子在基区内持续的平均时间是 ?b ，但是只有其中的 时间才对 ipc 有贡献，因此 ipc 的表达式应当改为 同时要增加一个延迟因子