[工学]电工电子学课件第09章-二极管和晶体管1.pptVIP

电工电子学下篇-电子技术 电子技术是把电子元器件组成的电子电路应用到科学、技术、生产、生活各领域的应用技术，电子电路是信息社会产生、传送、处理信号的硬件载体。 电工电子学下篇-电子技术 第9章 二极管和晶体管 第10章 基本放大电路 第11章 运算放大器 第12章 直流稳压电源 第13章 门电路和组合逻辑电路 第14章 触发器和时序逻辑电路 第15章 模拟量和数字量转换 9.2.1 伏安特性 9.3 稳压二极管 3. 主要参数 * 9.1 半导体的导电特性 9.2 半导体二极管 9.3 稳压二极管 第9章 二极管和晶体管 半导体基础知识 导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。 绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 半导体：导电特性处于导体和绝缘体之间。如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。 半导体的导电能力受外界因素的影响很大： 对温度敏感 ? 热敏元件 掺杂 ? 半导体二极管、三极管、场效应管、晶闸管等半导体器件 半导体及其特点 对光照敏感 ? 光电管、光电池等光敏元件 半导体的这些特点是由其原子结构决定的 9.1.1 本征半导体 1、本征半导体的结构特点 硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。 Si 本征半导体：完全纯净的、晶体结构的半导体。 9.1 半导体的导电特性 在热力学温度零度 和没有外界激发时, 本征半导体不导电。 共价键结构 本征半导体的共价键结构 硅原子 价电子 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 自由电子 空穴 本征激发 复合 在 常 温 下 自 由 电 子 和 空 穴 的 形 成 成对出现 成对消失 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 1 .N型半导体 在硅或锗的晶体中掺入少量五价元素 磷原子 +4 +5 多余价电子 正离子 N 型半导体中的载流子: 1、自由电子 2、空穴 多数载流子 少数载流子 9.1.2 N半导体和P型半导体 N 型半导体结构示意图 空穴是少数载流子 电子是多数载流子 正离子 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 空穴 2. P型半导体 在硅或锗的晶体中 掺入少量的三价元 素, 形成P 型半导体 +4 +4 硼原子 填补空位 +3 负离子 P 型半导体中 的载流子是: 1、自由电子 2、空穴 多数载流子 少数载流子 P 型半导体结构示意图 电子是少数载流子 负离子 空穴是多数载流子 半导体具有不同于其它物质的特点。例如： 当受外界热和光作用时，导电能力明显变化,半导体对温度敏感 。 往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力明显改变。 半导体的导电特性 （三）PN结 1、PN结的形成 flash1 多子的浓度差 多子的扩散 空间电荷区 少子的漂移 …… 扩散=飘移 形成稳定的PN结 注：PN结的结电容很小 2、PN结的特性 （1）PN结外加正向电压 flash2 PN结正偏 PN结正向导通 外电场与内电场方向相反 有利于扩散进行 扩散飘移 PN结变窄 外部电源不断提供电荷 产生较大的扩散电流I正 2、PN结的特性 （2）PN结外加反向电压 flash3 PN结反偏 PN结反向截止 外电场与内电场方向相同 有利于漂移进行 飘移扩散 PN结变厚 外部电源不断提供电荷 产生较小的反向电流I反 （3）PN结的特性： 加正向电压 导通 加反向电压 截止 单方向导电性 + - 正向电压 9.2 半导体二极管 硅管0.5V,锗管0.1V。 反向击穿 电压U(BR) 导通压降 外加电压大于死区电压二极管才能导通。 外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。 正向特性 反向特性 特点：非线性 硅0.6~0.8V锗0.2~0.3V 死区电压 P N + – P N – + 理想二极管： 导通压降=0 iD uD U I 0 (mA) (μA) 9.2.2 主要参数 1. 最大整流电流 IF 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2.最高反向工作电压UR 二极管工作是允许外加的最大反向电压值。超过此值时，二极管有可能因反向击穿而损坏。手册上给出的最高反向工作电压UR一般是击穿电压U（BR）的一半。 P N 二极管符号： + U - 3. 反向电流 IR 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较