[工学]第3章 逻辑门.pptVIP

第三章 逻辑门电路;本章主要内容;3.1 MOS管的开关特性;(2) 负逻辑：;3. 高低电平的实现;图3.1.2高低电平实现原理电路;互补开关电路的原理为;CMOS门电路;一、MOS管的类型和符号;b. 增强型PMOS;c. 耗尽型NMOS;3.2.1 CMOS反相器的电路结构和工作原理;图3.3.10 CMOS反相器电路;当vI＝VIH＝VDD为高电平时，T2导通， T1管截止，输出电压为低电平，即;特点;三、输入端噪声容限;2.计算方法;其中：;则输入噪声容限为;输入噪声容限和电源电压VDD有关，当VDD增加时，电压传输特性右移，如图3.3.14所示;3.2.4 其他类型的CMOS逻辑门;故：;如图2.6.3所示，T1、 T3为两个并联的PMOS， T2、 T4为两个串联的NMOS;二、漏极开路输出的门电路（OD门）;图3.3.25所示为OD门的逻辑符号;当A、B有一个为低电平，则TN 截止，输出vo＝VDD2，为高电平；当A、B同时为高电平，则TN 导通，输出vo＝0，为低电平。故输出输入的逻辑关系为;3.“线与”的实现;其工作原理为：;输出端逻辑式为;4.上拉电阻RL的计算; 若OD门输出管输出管截止时的漏电流为IOH，负载门高输入为电平时的输入电流为IIH，n为并联OD门（驱动门）的个数，m为负载门输入高电平电流的个数，则有;② OD门输出为低电平;5.OD门的特点：;②电平转换;例3.3.1试为图3.3.32电路中的外接电阻RL选定合适的阻值。已知G1、G2为OD与非门74HC03，输出管截止时的漏电流为IOHmax＝5μA，输出管导通时允许的最大负载电流为IOLmax＝5.2mA。G3、G4和G5均为74HC00系列与非门，它们的低电平输入电流和高电平输入电流为1μA。，要求OD门的高电平VOH≥4.4V，低电平VOL≤0.33V. ;解：驱动管输出为高电平时;四、三态输出的CMOS门电路;其工作原理为;当EN?＝0时，T1、T4导通，输出为Y ＝ A?;一、 双极型三极管的结构;稳态时若合理选择电路的参数，即;例3.5.1 电路如图3.5.2所示，已知 VIH=5V，VIL=0V，β=20，VCE(sat) = 0.1V，试计算参数设计是否合理;利用戴维南定理等效成电压源的形式如图3.5.4所示;等效电路如图3.5.5所示，则当VIH=5V时：;由于;三极管开关状态下的等效电路如图3.5.6所示;五、双极型三极管的动态开关特性;六 、三极管反相器;3.4 TTL门电路; 国产型号为CT54H/74H系列，与国际上SN54H/74H系列相当，部标型号为T2000系列;一、电路结构;①当vI＝VIL＝0.2V时;①当vI＝VIH＝3.4V时;特点：; 当输出为高电平时，其输出阻抗低，具有很强的带负载能力，可提供5mA的输出电流;二、电压传输特性;三、输入噪声容限; 计算方法与CMOS电路一样，如图3.5.11所示，其输入高电平噪声容限VNH和输入低电平噪声容限VNL的计算方法为;例3.5.2 如图3.5.18所示电路中，已知74系列的反相器输出高低电平为VOH≥3.2V, VOL≤0.2V，输出低电平电流为IOL（max）＝16mA，输出高电平电流为IOH（max）＝4mA，输入低电平电流IIL＝－1mA，输入高电平电流IIH＝40μA，试计算门G1可带同类门的个数;当G1输出为高电平时，有;解： vo1= VOH时，若使vI2≥ VIH（min） ，则;当vo1= VOL时， G2门的输入管T1导通，如图3.5.24所示，若使 vI2≤ VIL（max），则;例3.5.5 如图2.3.15所示电路，已知TTL与非门的参数为IOH＝0.5mA，IOL＝8mA，IIL＝－0.4mA，IIH＝40μA，问可以驱动多少个同类逻辑门？;二 集电极开路与非门（OC门－ Open Collector Gate）;① 输出电平不可调 ② 负载能力不强，尤其是高电平输出 ③ 输出端不能并联使用;2. OC门的结构特点; 工作时需外接负载和电源，如图3.5.37所示;工作原理：;4、外接负载电阻RL的计算;则;b. 驱动管输出为低电平时;例3.5.6 试为图2.3.35电路中的外接电阻RL选定合??的阻值。已知G1、G2为OC门，输出管截止时的漏电流为IOH＝200μA，输出管导通时允许的最大负载电流为IOLmax＝16mA。G3、G4和G5均为74系列与非门，它们的低电平输入电流为IIL＝1mA，高电平输入电流为IIH＝40μA。，要求OC门的高电平VOH≥3.0V，低电平VOL≤0.4V. ;当输出为高电平时;三、三态TTL与非门（TSL