第5章-能带理论基础教案.pptVIP

费米分布函数中，若E-EFk0T，则分母中的1可以忽略，上式化为电子的玻耳兹曼分布函数： 同理，空穴的Fermi分布 在EF-Ek0T时，空穴玻耳兹曼分布： * 当E=EF时： f（E）=1/(exp((E-EF)/k0T+1))=1/2 即电子占据几率为1/2的能级，就是费米能级。 费米分布函数f（E），随能量(E)变化的关系图如下: （1）T=0 K时 当E＜Ef时：（E-Ef）＜0 则（E-Ef）/kT→-∞,而e-∞→0, f(E)≈1。 当E＞Ef时：（E-Ef）＞0 则（E-Ef）/kT→∞,而e∞→∞, f(E)≈0。 （2）T＞0 K时 比EF小的能级被电子占据的概率随能级升高而逐渐减少，而比EF大的能级，被电子占据的概率随能级降低而逐渐增大。 随温度升高，电子吸收能量，从低能级跃迁到高能级，空穴从高能级跃迁到低能级，电子占据的能级越高，空穴占据的能级就越低，体系能量升高。 * 例如： 当E比EF高5k0T有： f(E)=1/(exp((E-EF) / k0T+1)) =1/(e5+1)=0.007 当温度不太高时，能量大于EF的量子态，基本没电子占据 当E比EF低5k0T有： f(E)=1/(exp((E-EF)/k0T+1)) =1/(e-5+1)=0.993 当温度不太高时，能量小于Ef的量子态，基本被电子占据 电子占据EF的的概率，在各温度下，都是1/2 * 电子浓度和空穴浓度 经研究和数学推算，平衡态非简并半导体导带电子浓度n0 ： 其中：EF—费米能级； Ec—倒带底；T—热力学温度 K0—玻耳兹曼常数（k = 1.38× 10?23 J/K） 其中 称为导带的有效状态密度， mn*为电子有效质量。 同样经过推算，空穴在价带上的浓度p0为 其中 称为价带的有效状态密度，mp*为空穴有效质量。 * 从上述推导结果可知：p0 , n0主要取决于温度和费米能级，而费米能级与温度，和半导体材料的杂质类型和杂质浓度有关。 对于晶体硅，在300K时: Nc =2.8×1019个/cm3， Nv=1.2×1019个/cm3。 影响导带电子和价带空穴的浓度的主要因素 ①电子和空穴的有效质量---有材料本身决定的 ②温度T：随着温度的提高，Nc和Nv都增加，n0 和 p0 都增加 ③与EF的位置有关。 当费米能级Ef接近导带底（EF→Ec）时：（Ec-EF）下降，（EF越高），导带电子浓度就越高，（对应的施主能级ND也较高） 当EF接近价带顶（EF→Ev）时：（Ev-EF）下降，（EF越低），价带的空穴浓度越高，（对应的受主能级NA 越低） 所以，n0 和 p0与掺杂有关，取决于掺杂的类型和数量。 * 空穴浓度和电子的浓度乘积为： 载流子的浓度积，只与温度有关。与杂质无关。 对某种半导体材料而已，Eg是一定的，在一定温度下，其热平衡的载流子浓度的乘积是一定的，与半导体的掺杂类型和浓度无关。 * 本征半导体的载流子浓度 本征半导体是没杂质和结晶近乎完美的单晶半导体。 在0K时，所有价带都被电子占据，所有导带都是空的，没有任何自由电子，不导电。 但当温度升高时，产生本征激发，价带的电子吸收晶格能，激发到导带，成为自由电子，同时价带出现数量相等的空穴，电子和空穴是成对出现的。 所以n0=p0，如果设本征半导体载流子浓度为ni，则： n0 p0 = ni2 * 所以，ni 还是温度T的函数。 影响ni的因素： （1）电子和空穴的有效质量，Eg，这些因素是由材料本身决定的。 （2）T的影响：温度升高，lnT 升高，1/T下降，ni升高；