[理学]第五章 存储器.ppt

An Introduction to Database System 河北经贸大学信息技术学院 138真值表 课堂练习1 按图说明它是什么片选方式? 起始地址是多少? 结束地址是多少? 扩展的存储器的容量是多少?。 EPROM的编程 擦除方法： 对于刚出厂的芯片是干净的，若芯片使用过再进行编程首先需要擦除，擦除时需要专用的擦除器，擦除器利用紫外线照射EPROM的窗口，一般在15~20min。 干净的芯片每个单元的内容都是FFH 标准编程 EPROM编程需要将EPROM芯片插在专用的编程器上，标准编程的过程分三步： EEPROM EEPROM(电擦除可编程只读存储器)相比之下，它比EPROM使用更方便，它可以在线进行擦除和编程，不必使用专用设备，因此它使用起来更为灵活。 对98C64编程程序： 对98C64编程的过程就是写入过程，但写入时需要一定时间，可以通过查询BUSY引脚状态或采用中断方式来确定写入是否完成，关于查询和中断、方式后面的章节介绍。 这里采用延时的方法，就是当写入操作完成后等待一定的时间（最长写入时间）既可以了。 闪存（FLASH）EEPROM 闪存也是一种EEPROM，但和前面介绍的EEPROM相比，其最大的特点是编程速度快。 由于其编程速度快，容量大因此获得了广泛应用。 下课了。。。 27C040是一片512KB的EPROM芯片，右边是其引脚图： EPROM 270C40外部特性 27C040引脚图 VPP A16 A15 A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 GND 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 32 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 +5V A18 A17 A14 A13 A8 A9 A11 G A10 E D7 D6 D5 D4 D3 G#：输出允许； E#：片选信号； VPP：编程电压输入端（13V），读出时接VCC EPROM 27C040 的编程时序图 A0~A18 D0~D7 VPP E G Data写入 Data读出 100μS 编程 校验 X=10？ 加编写脉冲100μS X+1→X 器件损坏 取下一 个地址 取下一 个地址 开始 地址全写完？ 加编写脉冲100μS VCC=6.5V VPP=13V 取首址 取首址 X=0 A 结束 最后一个 地址完？ 校验所有单元 校验一个字节 VCC=VPP=5V A N 错 对 Y N N Y Y 根据生产厂家提供的编程过程，可以将编程过程分三步： 编程：用100μs的编程脉冲依次将要写的数据全部写完。 校验：从头逐一校验，发现有写错的重写，最多重写10次，如果重写失败则认为芯片损坏。 最后校验：从头逐一校验，如无错误编程结束。发现有错则认为芯片损坏。 快速编程过程 对于EPROM芯片有两点注意事项： 对于不同的芯片有不同的编程电压。 对于不同的芯片编程脉冲宽度不完全相同，要按器件说明编程。 这里先以98C64为例进行介绍： 对于多数EEPROM和相同容量的EPROM是兼容的。在使用中也有不同之出，这里对其不同进行介绍。 EEPROM98C64A 电可擦除ROM EEPROM96C64A引脚图 READY/BUSY A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 GND 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 +5V WE NC A8 A9 A11 OE A10 CE D7 D6 D5 D4 D3 对于EEPROM与EPROM芯片的地址线、数据线、片选信号是完全相同的。 CE#：片选信号。当CE#=0、OE#=0、WE#=1时，选中单元的数据将被读出。 WE#：写允许信号。当CE#=0、OE#=1、WE#=0时，将数据写入选中的单元。 READY/BUSY#：漏极开路信号，该信号在数据写入时变低，写完后变高。 EEPROM98C64A引脚 96C64的工作过程 对于96C64的读出过程与EPROM、RAM都是相同的。 96C64的写入过程有两种方式： 字节方式。一次写入一个字节。 自动页写入方式。一次写入一页（最多可达32个字节）。 字节方式工作过程 地址 CE WE D0 ~ D7 READY / BUSY twr 100ns的负脉冲 5—1