[工学]模拟电子教案02----三极管电路.ppt

第1章 常用半导体器件 1.3 晶体三极管 一. BJT基本知识 5. 型号 放大工作原理 2. 输出特性曲线 iC=f(uCE)? iB=const 4. 温度对特性的影响 例1. 由电极电位判定三极管的状态 在放大电路中，测得下述6组三极管3个极的电位： 1．NPN管： （1） 1V 0.3V 3V （2） 0.3V 0.3V 1V （3） 2V 5V 1V 2． PNP管：（1） -0.2V 0V 0V （2） -3V -02V 0V （3） 1V 1.2V -2V 试确定三极管处何种状态，并判定各电位对应三极管的哪个电极。 多数NPN管用Si材料制成，PN结的导通压降一般设为0.7V；而多数的PNP管用Ge材料制成，PN结导通压降一般为0.2V左右。 根据电位确定三极管的状态和电极时一般应先设法确定三极管的基极B和发射极E，再确定集电极C。按此思路对给定的6组数据分析如下。 （2） 0.3V 0.3V 1V 可考虑各电极对应的电位如下：基极B为1V，射极E为0.3V，集电极C为0.3V。发射结正偏，集电结也正偏，故三极管T处在饱和状态。 2．PNP管 （ l） - 0 .2V 0V 0V 电极和电位对应关系是：B极为-0.2V，E极为0V，C极为0V。发射结正偏，偏置电压UBE =-0.2V，集电结也正偏，故三极管T处在饱和状态。  自测题: 三. 分析和设计方法 三. 分析和设计方法 三. 分析和设计方法 三. 分析和设计方法 三. 分析和设计方法 三. 分析和设计方法 三. 分析和设计方法 三. 分析和设计方法 三. 分析和设计方法 波形非线性失真的分析 截止失真----因晶体管截止而产生的失真称为截止失真. 解决方法----增大VBB 或减小RB 波形非线性失真的分析 三. 分析和设计方法 三. 分析和设计方法 三. 分析和设计方法 三. 分析和设计方法 三. 分析和设计方法 三. 分析和设计方法 作 业（P141） 小信号电压增益分析(1)----单个电阻偏置电路 2. 动态分析和设计----微变等效法（交流通路） 小信号电压增益分析(2)----分压器偏置电路 2. 动态分析和设计----微变等效法（交流通路） 或 小信号电压增益分析(3)----带旁路电容分压器偏置电路 2. 动态分析和设计----微变等效法（交流通路） 或 小信号电压增益分析(4)----共集放大电路 2. 动态分析和设计----微变等效法（交流通路） 或 小信号电压增益分析(5)----共基放大电路 2. 动态分析和设计----微变等效法（交流通路） 或 * 1.1 半导体基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 晶体三极管 1.4 场效应管 一. BJT基本知识 二．晶体管的特性曲线 三. 晶体管电路分析及设计 四.晶体管电路应用 NPN型 PNP型 2. 符号 - - N N P 发射区 集电区 基区 发射结 集电结 e c b 发射极 集电极 基极 - - P P N 发射区 集电区 基区 发射结 集电结 e c b 发射极 集电极 基极 E C B E C B 1. 结构 3. 分类 按材料分： 硅管、锗管 按功率分： 小功率管 500 mW 按结构分： NPN、 PNP 按使用频率分： 低频管、高频管 大功率管 1 W 中功率管 0.5 ?1 W 4. 外形 第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、 C硅PNP管、D硅NPN管 第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、 G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管 用字母表示材料 用字母表示器件的种类 用数字表示同种器件型号的序号 用字母表示同一型号中的不同规格 三极管 国家标准对半导体器件型号的命名举例如下： 3DG110B 6. 工作原理 共发射极接法 C 区 B 区 E 区 BB V CC V R b R C e b c 共基电