[信息与通信]6-第七章 金属半导体接触和MIS结构.pptVIP

第七章 金属-半导体接触和MIS结构 微电子学院 7.1 金属-半导体接触 金属-半导体接触：指的是有金属和半导体相互接触而形成的结构。 现代半导体工艺中，金属-半导体接触是通过在半导体表面真空蒸发一金属表面形成，常用的金属有铝和金。 金属-半导体接触可形成整流特性接触和欧姆接触。 整流特性接触：金属细丝与半导体表面形成整流接触。 欧姆接触：电极连接作用，等效一个小电阻。 7.1.1 功函数的概念 固体中的共有化电子虽然能在固体中自由运动，但绝大多数所处的能级都低于体外能级。要使电子从固体中逸出，必须由外界给它以足够的能量。 固体功函数：固体中位于费米能级处的一个电子移到体外自由空间所作的功。（逸出功） W=E0-Ef E0: 真空中的静止电子能量； Ef : 费米能级。 （1）金属材料的功函数 绝对零度时，金属中的电子填满了费米能级 EF以下的所有能级，而高于 EF的能级则全部是空着的。 一定温度下，只有EF附近的少数电子受到热激发，由低于 EF的能级跃迁到高于EF的能级上去，但是绝大部分电子仍不能脱离金属而逸出体外。 一个电子从金属跃迁到体外所需最小能量Wm： Wm=E0-Efm （2）半导体材料的功函数 在半导体中，导带底Ec和价带顶Ev一般都比E0低几个电子伏特。要使电子从半导体逸出，也必须给它以相应的能量。 和金属类似可以定义半导体的功函数： Ws=E0-Efs 由于p型半导体的费米能级较低，所以功函数比n型半导体大； p型半导体的杂质浓度越高功函数越大，n型半导体则相反。 7.1.2金属-半导体接触 金属-半导体接触：是通过在半导体表面真空蒸发一金属表面形成，常用的金属有铝和金。 不同伏安特性： （1）半导体掺杂浓度低（低于5*1023/cm3），类似p-n结单向导电性。（红） （2）掺杂浓度很高（高于1026/cm3），电流随电压增加（正向或反向），电流成倍增加，相当于一个很小电阻。绿 7.1.3 金属-半导体接触的能带 金属-半导体接触，费米能级通过功函数表示，功函数大，费米能级Ef位置低，功函数小，费米能级Ef位置高。 （1）金属-N型半导体材料接触 1）接触前金属的功函数大于半导体的功函数，费米能级差等于功函数差。 Efs-Efm=Wfm-Wfs 金属的费米能级低于半导体费米能级。半导体中电子向金属扩散，金属表面带负电，半导体表面带正电。 正负电荷相等，保持电中性，统一的费米能级。 电子流动后，N半导体表面留下施主离子正电荷，金属一侧电子层，形成空间电荷区。形成内建电场。 与P-N结相似，内建电场产生势垒，称为金属-半导体接触表面势垒，又称电子阻挡层。 达到平衡，从N型半导体扩散（电场作用力）向金属和从金属漂移（浓度差）到半导体的电子数相等。 势垒两边电势差称为金属-半导体接触电势差 Vms= (Efs-Efm) /q= ( Wfm-Wfs ) /q 2）接触前金属的功函数小于半导体的功函数，金属费米能级高。 金属表面形成高密度空穴层，半导体侧形成电子积累区，电子高导电率的空间电荷区，又称高电子电导区，或反阻挡区。 2、金属与P型半导体接触类似，形成空穴阻挡区和高电导区。 （阅读5分钟） 7.1.4金属-半导体接触整流特性 在金属和N半导体之间加电压，影响内建电场和表面施垒。 1）金属的功函数大于N型半导体的功函数，金属接正极，半导体接负极。外电场与内建电场相反，抵消部分，电子阻挡层变薄，电子从半导体流向金属。电压增加，电流随之增加。 2）金属的功函数大于N型半导体的功函数，金属接负极，半导体接正极。外电场与内建电场一致，电子阻挡层变厚，电子从半导体流向金属很少。电流几乎为0。 与P-N结类似，具整流效应。 整流特性金属-半导体接触，称为肖特基接触，肖特基二极管（SBD） 肖特基二极管（SBD）特性： （1）高频性能好，开关速度快 SBD电流取决于多数载流子的热电子发射；（功函数差） P-N结电流取决于非平衡载流子的扩散运动。（浓度差） SBD：不发生电荷存储效应； P-N结：电荷存储效应。 电荷的积累和消失需要时间，限制高频和高速器件应用。 （2）正向导通电压低 SBD热电子发射代替P-N结非平衡载流子的扩散，载流子热运动速度比扩散速度高几个数量级。 同样工作电流，SBD正向导通电压低。 7.2 欧姆接触 欧姆接触：电流和电压关系遵循欧姆定律，欧姆接触好坏的参量是特征电阻，又称接触电阻。（好的接触，特征电阻小于10-7 ?.cm） 金属的功函数小于N型半导体的功函数、金属的功函数小于P型半导体的功函数，形成高电导区（反阻挡层）。 理论上，选择功函数比N型半导体的功函