核分析技术及应用第一节离子背散射分析.PPT

第五章 核分析技术及应用 第一节 离子背散射分析 5.1.0 概论 自1967年背散射技术首次成功地用于月球土壤成分分析以来，背散射分析技术巳迅速发展成一种十分成熟的离子束分析技术。 背散射分析具有方法简便、可靠，不依赖于标准样晶，不破坏样晶结构等优点。 目前，背散射分析技术巳成为许多实验室和工业部门的一种常规分析工具．它在离子注入半导体材料、金属材料、反应堆器壁材料、超导材料、各种薄膜材料等研究领域中有着广泛的应用。 一束具有一定能量的离子入射靶物质时，大部分离子沿入射方向穿透进去，并与靶原子电子碰撞逐渐损失能量，只有极小部分离子与靶原子核发生大角度散射而离开原来的入射方间。入射离子与靶原于核之间的大角度库仑散射称为卢瑟福背散射(记为RBS)。 用探测器对这些背散射粒子进行测量，能获得有关靶原子的质量、含量和深度分布等信息。 火星车前部的探测器 5.1.1分析原理1 运动学因子如果入射粒子的能量远比原子在靶物质中的化学结合能大，但其能量又不足以引起核反应时，我们可以用简单的两个孤立原子之间的弹性碰撞来描写它们之间的相互作用。 经典弹性散射运动学关系:K称为运动学因子，离子碰撞后和碰撞前的能量之比m和M分别为入射离子和靶原子的质量，E。为入射离子能量,θ为实验室坐标系中的散射角度。 K因子与θ、M、m的关系曲线 2 散射截面 5.1.2 背散射能谱 1. 4He离子在含有金层的碳样品上 的背散射谱 2.磁泡材料的背散射谱 3.硅中注砷样晶的背散射能谱 4 增强背散射分析（ERBS) 5.1.4 质量分辨率与靶质量M 和离子质量m的关系 第二节 离子沟道效应分析 5.2.0沟效道应 准直正离子入射到单晶靶上时，离子与靶原子之间相互作用几率，强烈依赖离子入射方向与晶轴或晶面间的相对取向。带电粒子与 单晶体中原子相互作用这种强烈的方向依赖现象，称为沟道效应。 单晶体中晶轴或晶面之间的空间称为轴沟道或面沟道，统称为沟道。 在沟道内运动的离子称沟道粒子。 离子入射方向与晶轴之间的角度称入射角。 离子入射单晶体恰能保持在沟道内运动的最大入射角ψ1 ，称为特征角。 归一化产额X=定向产额÷随机产额 离子在沟道中的运动 离子在沟道中受到的作用 库伦屏蔽作用势能 a 托马斯-费米长度 C 常数 r 离子与晶格原子距离 平均作用势 ρ离子与晶轴距离 d 晶格常数 特征角 5.2.2 沟道效应分析的应用 1 晶体损伤的深度分布 2.晶体杂质原子定位 Χ间位杂质原子 ▲四面体间位杂质原子 ○晶格原子 ●替位杂质原子 3.晶体表面结构分析a理想表面；b表面原子横向位移；C表面原子纵向位移；d表面污染 4 单晶体表面杂质 5 阻塞效应和阻塞效应测量超短原子核寿命 阻塞效应是直接测量飞秒以下范围内的核寿命的唯一方法。 核反应 质子能887.8keV时， 存在共振反应，复合核能级13.095MeV。 测得共振态寿命0.00015飞秒 第三节 离子弹性反冲分析 探测弹件碰撞时反冲出来的轻元素原子，可以确定轻元素的含量及其深度分布。这种分析方法记为ERD。它弥补了 背散射分析对轻元素不灵教的缺点，成为常用的一种离子束分折技术 5.3.1分析原理1 运动学关系如果入射粒子的能量远比原子在靶物质中的化学结合能大，但其能量又不足以引起核反应时，我们可以用简单的两个孤立原子之间的弹性碰撞来描写它们之间的相互作用。 运动学因子Kr 2 散射截面 正如讨论背散射分析，在重离子入射情况下，反冲截面为 产额 5.3.3 弹性反冲分析应用 弹性反冲分析实验安排 透射式和掠射式 吸收片粒子甑别 高分辨粒子甑别 弹性反冲分析氢元素 加吸收片后ERD分析实验结果 ERD-RBS联合分析碳膜中氧和氘 重离子ERD分析 重离子ERD分析 第四节 带电粒子核反应瞬发分析（NRA） 带电粒子核反应瞬发分析法是测量核反应过程中伴随发射的辐射确定反应原子核的种类和元素浓度的方法。伴随发射的辐射包括出射的带电粒子、γ射线，以及出射的中子。 带电粒子与轻元素的反应Q值大、产额高，只用几个MeV能量的带电粒子就可以进行高灵敏度元素分析。 带电粒子核反应瞬发分析方法简便、分析速度快，可利用不同的核反应道、不同的出射粒子和核反应运动学关系，更有利地鉴别元素和消除干扰反应，特别是它能在不破坏样品结构的情况下提供元素深度分布信息。 带电粒子核反应瞬发分析是样品表面层轻元素分析不可缺少的一种分析方法。 5.4.1 核反应分析原理