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第四章 MOSFET 半导体表面和界面结构 半导体表面是影响半导体器件性能的一个重要因素。 对半导体表面性能的探索，对改进表面钝化的研究 不仅有助于提高半导体器件的可靠性和稳定性，也促进 了一些表面器件例如金属—氧化物—半导体场效应管 (MOS FET)、电荷耦合器件(CCD)等的发展。 半导体表面特性极其重要的原因有二： （1）半导体表面的状况可以严重影响半导体器件的性能 ，特别是器件的稳定性、可靠性。 （2）利用半导体表面特有的效应研制的MOS器件，是最 重要的半导体 1.理想表面：表面的硅原子只与体内的硅原子形 成共价键，在表面无原子与之成键，形成“悬 挂键”。 价键的不完整性会形成一些可以容纳电子的能量状态，即受主能级也可称为表面能级或表面态。 清洁表面的表面能级位置在半导体禁带中靠近价带顶的地方。 是一系列靠得很近、接近于连续的能级。 实验表明，对于硅的清洁表面，当表面电中性 时约比价带顶高0.3eV，表面能级密度约为1014~1015／cm2。用不同方法获得的清洁表面具有略为不同的表面费米能级。 2．真实表面：因在硅表面上覆盖了一层二氧化硅层，使硅表面的悬挂键大部分被二氧化硅的氧原子所饱和，表面态密度就大大降低，表面态密度约为1011~1013／cm2。 二．?? 硅--二氧化硅界面结构 用热生长的方法或化学气相淀积的方法均可在硅表面 上生长一层厚度可以人为控制的二氧化硅层，这种氧化 层与体内硅之间形成的SiO2—Si界面成为区别于理想表面 及真实表面的第三种表面。 1 界面附近的固定正电荷 大致分布在近界面100埃的范围内，通常单位面积 上固定正电荷的数目约为1011~1012／cm2 ；不能进行充放电。 固定正电荷起源于过量的硅正离子，或称氧空位。 通过调节工艺条件来控制固定正电荷的多少。 氧化温度越低，固定正电荷密度越大。 在氮或氢中高温退火，可以降低固定正电荷密度。 对于不同晶向的硅单晶，SiO2中固定正电荷数目不同，（111）晶向固定正电荷密度最大，(110)晶向其次， (100)晶向最小。 2．Si-SiO2界面态 在硅和二氧化硅的交界处存在着界面态 界面态与真实表面的内表面态很相似，它们可以是施主型的，也可以是受主型的。 其能级位置处于半导体的禁带中，几乎是连续分布的。 界面态的成因 ： 施主型的界面态主要是在氧化过程中引入的杂质或者晶体中杂质的外扩散所引起的。 受主型界面态主要是由悬挂键和晶格失配所引起的。界面态密度与晶向有关，在(111)面上界面态密度最大，(110)面次之，(10 0)面最小。 调节工艺条件可以控制界面态密度。 干氧氧化有较高的界面态密度。氧中含少量水汽可减少界面态。在氧化及蒸铝后再在H 2和N2的混合气体巾低温处理也可以减少界面态。这是因为某些杂质离子可以扩散到界面处而与悬挂键结合。 3．氧化层中的可动电荷 尤其是Na+在Si02中进行漂移的激活能很低，因此危害甚大。 破坏网络结构，使氧化层呈多孔性。 随外加电压在氧化层中移动，影响C-V特性；通过C-V曲线的B-T实验测定单位面积可动离子数。 为了防止或去掉钠离子沾污的影响，通常使用下述方法： 热氧化后用氢氟酸腐蚀掉l00一200埃的一层Si02 用磷处理减少钠离子沾污的影响，因磷硅玻璃有“提取”及“阻挡”钠离子的作用； 采用“无钠”清洁工艺，即采用电子纯试剂、无钠石英、双层石英氧化炉管，在氧化时用氯化氢或三氯乙烯； 4．电离陷阱 在X射线、 射线和电子束等的照射下，在二氧化硅中会产生电离陷阱。 在电离辐射的照射下，SiO、层中会产生电子—空穴对。 电子的迁移率通常比空穴的迁移率大，在外加电压作用下，电子会向正极漂移，并被扫出SiO2绝缘层，而在SiO2内留下空穴。 在N2中或H2中退火的方法可以消除电离陷阱 三.空间电荷区和表面势 Si—SiO2的施主型界面态，与半导体交换电子时将电 子释放到半导体的导带中，使界面态本身带正电荷，半导 体表面带负电荷。 空间电荷区中的负电荷恰好与界面中的正电荷相等。 半导体表面一薄层内形成了一个负的空间电荷区，同 时形成了一方向指向半导体内部的表面电场。 表面与体内达到了热平衡，具有共同的费米能级； 在没有外加电场的情况下，从整体上来看，是电中性 的。 对施主型界面态，引起的表面能带将向下弯曲。 对受主型界面态，引起的表面能带将向上弯曲。 四.表面的积累、耗尽和反型 除了Si—SiO2之间的界面态、固定正电荷等，会引起 半导体表面能带弯曲、出现空间电荷区、形成表面势， 外加电场也能在半导体表面引起