[工学]新编16位32位微型计算机原理及应用第5章微机的存储器.pptVIP

第五章 微机的存储器 5.3.3 EPROM/EEPROM常用芯片举例 1. Intel 2716 1）Intel 2716的引脚与内部结构 2716 EPROM芯片的容量为2K×8位，采用NMOS工艺和双列直插式封装，其引脚、逻辑符号及内部结构见图5.14（a）、（b）及（c）。 2）2716的工作方式 2716的工作方式见表5.3所示： 与2716属于同一类的常用EPROM芯片还有2732、2764、27128、27256、27512以及271024等，它们的内部结构与外部引脚分配基本相同，主要是存储容量逐次成倍递增为4K×8位、8K×8位、16K×8、32K×8位、64K×8位以及128K×8位等。 3. EEPROM芯片 常用的EEPROM芯片有2816/2816A、2817/2817A/2864A等。其中，以2864A的8K×8b的容量为最大。其主要特点是能像SRAM芯片一样读写操作在写之前自动擦除原内容。 但它并不能像RAM芯片那样随机读写，而只能有条件地写入，即只有当一个字节或一页数据编程写入结束后，方可以写入下一个字节或下一页数据。 在EEPROM的应用中，若需读某一个单元的内容，只要执行一条存储器读指令，即可读出；若需对其内容重新编程，可在线直接用字节写入或页写入方式写入。 5.5 内存条技术的发展 内存历来都是系统中最大的性能瓶颈之一，因此，对内存技术的改进一直备受用户和开发者的关注。 目前广泛使用的是内存条技术。较为常用的内存条有以下几种： 1．SIMM内存 最初出现在80286主板上的“内存条”，采用的是SIMM（Single In-lineMemory Modules），在1988～1990年，PC 技术进入32 位的386和486时代，推出了72线 SIMM内存。 2．EDO DRAM内存 外扩充数据模式动态存储器（Extended Date Out DRAM，EDO DRAM）是1991年到1995年之间盛行的内存条，其速度比普通的DRAM快15～30%。工作电压为一般为5V，带宽32位，主要应用在当时的486及早期的Pentium计算机中（如图5.25）。 随着EDO DRAM在成本和容量上的突破与制作工艺的飞速发展，当时单条EDO DRAM内 存容量已达到4 ～16MB 。由于 Pentium 及更高档CPU数据总线 都是64位甚至更高，EDO RAM与 FPM RAM都必须成对使用。 3．SDRAM内存条 自Intel Celeron系列以及AMD K6处理器以及相关的主板芯片组推出后，EDO DRAM内存性能再也无法满足需要，于是，内存又开始进入SDRAM时代。 SDRAM的带宽为64位。在性能方面，由于其输入输出信号保持与系统外频同步，因此速度明显超越EDO内存。 4种SDRAM内存条样式如图5.26-5.29. 4．Rambus DRAM内存条 SDRAM PC133内存的带宽可提高带宽到1064MBps，但仍不能满足后来CPU主频的提升需求，此时，Intel与Rambus联合推出了Rambus DRAM内存（称为RDRAM内存）。与SDRAM不同的是，它采用了新一代高速简单内存架构，基于一种类RISC（精简指令集计算机）理论，可以减少数据的复杂性，使得整个系统性能得到提高（如图5.30）。 5．DDR内存条 双倍速率SDRAM（Dual Date Rate SDRAM，DDR SDRAM）简称DDR。DDR实际上是SDRAM的升级版本。图5.31-5.34给出了4种DDR内存条的样式。 6．DDR2内存条 随着CPU 性能不断提高，对内存性能的要求也逐步升级。仅靠高频率提升带宽的DDR已力不从心，于是JEDEC 组织很早就开始酝酿DDR2 标准，加上LGA775接口的915/925以及945等新平台开 始对DDR2内存的支持，DDR2 内存开始成为内存之星。 图5.35给出了DDR2 533 内存条是样式。 存储器的分类(小结) 按 存 储 介 质 分 类 谢谢大家！ 图5.22 图5.1 5.2 5.3 图5.4 5.5 图5.6 图5.7 图5.8 图5.9 图5.10 图5.10 图5.11 图5.13 图5.12 表5.3 图5.15 图5.17 图5.18 图5.18 3.可擦除、可再编程的只读存储器 PROM芯片虽然可供用户进行一次修改程序，但仍很局限。为了便于研究工