[工学]模电课件第2章 半导体二极管及其基本电路1.ppt

(2) 反向特性 当V＜0时，即处于反向特性区域。 反向区也分两个区域： 当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS 。 当V≥VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压 。 在反向区，硅二极管和锗二极管的特性有所不同。 硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。 从击穿的机理上看，硅二极管若|VBR|≥7V时, 主要是雪崩击穿；若|VBR|≤4V时, 则主要是齐纳击 穿。当在4V～7V之间两种击穿都有，有可能获得 零温度系数点。 2.3.3 半导体二极管的参数 半导体二极管的主要的参数介绍如下： (1) 最大整流电流IF—— 二极管长期连续工 作时，允许通过二 极管的最大整流 电流的平均值。 (2) 反向击穿电压VBR—— 和最大反向工作电压VRM 二极管反向电流 急剧增加时对应的反向 电压值称为反向击穿 电压VBR。 为安全计，在实际 工作时，最大反向工作电压 VRM一般只按反向击穿电压 VBR的一半计算。 (3) 反向电流IR (4) 正向压降VF (5) 动态电阻rd 在室温下，在规定的反向电压下，一般是最大反向工作电压下的反向电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(?A)级。 在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.6～0.8V；锗二极管约0.2～0.3V。 反映了二极管正向特性曲线斜率的倒数。显然， rd与工作电流的大小有关，即 rd =?VF /?IF 2.3.4 半导体二极管的温度特性 温度对二极管的性能有较大的影响，温度升高时，反向电流将呈指数规律增加，如硅二极管温度每增加8℃，反向电流将约增加一倍；锗二极管温度每增加12℃，反向电流大约增加一倍。 另外，温度升高时，二极管的正向压降将减 小，每增加1℃，正向压降VF(VD)大约减小2mV， 即具有负的温度系数。这些可以从图01.13所示 二极管的伏安特性曲线上看出。 图2.13 温度对二极管伏安特性曲线的影响 图示 2.3.5 半导体二极管的型号 国家标准对半导体器件型号的命名举例如下： 半导体二极管图片 半导体二极管图片 半导体二极管图片 2.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 二极管是一种非线性器件，因而其电路一般要采用非线性电路的分析方法，相对来说比较复杂，而图解分析法则较简单，但前提条件是已知二极管的V -I 特性曲线。 例2.4.1 电路如图所示，已知二极管的V-I特性曲线、电源VDD和电阻R，求二极管两端电压vD和流过二极管的电流iD 。 解：由电路的KVL方程，可得 即 是一条斜率为-1/R的直线，称为负载线 Q的坐标值（VD，ID）即为所求。Q点称为电路的工作点 2.4.2 二极管正向V-A特性的建模 根据二极管在实际电路中工作状态和对分析精度的不同要求，可以为二极管建立不同的模型，常用的二极管模型有以下几种： 2.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 1.二极管V-I 特性的建模 将指数模型 分段线性化，得到二极管特性的等效模型。 （1）理想模型 （a）V-I特性 （b）代表符号 （c）正向偏置时的电路模型 （d）反向偏置时的电路模型 1. 理想二极管模型 在实际的电路中，当电源电压远比二极管的压降大时，利用此模型来近似分析是可行的。该模型的特点是：二极管反向偏置时电流为零，而正向偏置时，其管压降为零。 图2.14 理想二极管等效模型 (a)电路符号 (b)V－I特性 该模型的基本思想是当二极管正向导通后，其管压降认为是恒定的且不随电流而变，典型值硅管为0.7V，锗管为0.3V，但只有当二极管正向电流大于或等于1mA时才是正确的。 2. 恒压降模型 图2.15 恒压降等效模型 (a)电路符号 (b)V－I特性 3. 折线模型 为了较真实地描述二极管伏安特性，在恒压降等效模型的基础上作一定的修正，即认为二极管的管压降不是恒定的，而是随着流过二极管电流的增加而增加。 图2.16 折线等效模型 (a)电路模型 (b)V-I特性 4. 小信号模型 如果二极管在它的伏安（V-I）特性的某一小范围内工作，