[工学]第二章 晶体缺陷.pptVIP

● 在同一滑移面上的位错， 同性相斥、异性相吸 ● 在不同滑移面上的位错， 小角度晶界的形成。 ● 相互平行的螺位错和刃位错之间不 发生相互作用（柏氏矢量相互垂直） ● 混合位错，先分解、再叠加 沿x方向的切应力分量（滑移）： 2.2.5 位错的生成和增殖 1 位错的密度(density of dislocations) 位错密度是单位体积晶体中所含的位错线的总长度： ρ= L/V（1/cm2） 一般，位错密度也定义为单位面积所见到的位错数目 2 位错的生成(formation of dislocations) 晶体在凝固及生长过程中的位相差、 饱和空位的聚集、局部应力集中等 Chapter 2 Imperfections of crystalline solids 充分退火的多晶体金属中，ρ= 106 – 108 cm-2 剧烈冷变形的金属中：ρ= 1010 – 1012 cm-2 超纯金属单晶体：ρ＜ 103 cm-2 3 位错的增殖(generation of dislocations) 晶体在变形过程中存在位错的大量增殖 ● 弗兰克-瑞德源（Frank-Read source） 临界切应力 τc= Gb/L ● 双交滑移增殖模型 2.2.6 实际晶体中的位错 以上位错结构是以简单立方晶体为研究对象，实际晶体中更为复杂 1 实际晶体中位错的柏氏矢量 ● 单位位错(unit dislocation)：柏氏矢量等于单位点阵矢量的位错； ● 全位错(perfect dislocation)：柏氏矢量等于点阵矢量的位错， 全位错滑移后晶体原子排列不变； ● 不全位错（imperfect dislocation, 部分位错, partial dislocation）：柏氏矢量 不等于点阵矢量的位错，不全位错滑移后晶体原子排列规律变化 2 堆垛层错（stacking fault） 形成层错时几乎不发生点阵畸变， 但破坏了晶体的完整性和正常的 周期性，使晶体的能量增加， ----称为堆垛层错能γ（J/m2） （stacking fault energy） 面心立方(FCC) Chapter 2 Imperfections of crystalline solids 层错能低，晶体中容易出现层错； 层错能高，晶体中不易出现层错； 3 不全位错(imperfect dislocation, partial dislocation) 如果堆垛层错不是发生在晶体的整个原子面上而只是在部分区域存在， 那么，在层错与完整晶体的交界处就存在不全位错 4 位错反应(dislocation reaction) 位错线之间可以合并或分解，但需满足以下条件： 几何条件：反应前后诸位错的柏氏矢量之和相等， b → b1 + b2； 能量条件：反应后位错的总能量小于反应前位错的总能量 ∣b∣2 ∣b1∣2 +∣b2∣2 肖克莱不全位错，可动位错 弗兰克不全位错，固定位错 Chapter 2 Imperfections of crystalline solids 扩展位错(extended dislocation)：通常指一个全位错分解为两个不全位错， 中间夹着一个堆垛层错的整个位错组态。 几何条件： 能量条件： 位错宽度 Chapter 2 Imperfections of crystalline solids FCC中的扩展位错 Chapter 2 Imperfections of crystalline solids 束集 扩展位错的交滑移 交滑移 * * 第二章 晶体缺陷 (Chapter 2 Imperfections of crystalline solids) 晶体缺陷：实际晶体中存在的各种偏离理想结构的现象 晶体缺陷对晶体的性能、扩散、相变等有重要的影响 晶体缺陷的种类： 1 点缺陷（point defects）：空位、间隙原子等 the defects that associate with one or two atomic positions 2 线缺陷（linear defects）：位错 dislocation is a linear or one-dimensional defect around which some of the atoms are misaligned 3 面缺陷（planar defec