第1章混合集成电路基片2.ppt

复习一、混合集成电路对基片的要求 1．基片平整度、光洁度高 2．良好的电气性能（绝缘性能） 3．高的导热系数 4．与其他材料相匹配的热膨胀系数 5．良好的机械性能 6．高稳定性 7．良好的加工性能 8．价格便宜 二、表面缺陷 根据表面缺陷尺度的大小，基片表面缺陷大致可以分为下面四类： 1 原子尺度的缺陷 2 亚微米尺度的缺陷：抛光划痕等 3 微米尺度缺陷：研磨划痕等 4 宏观缺陷：表面弯曲，烧结是掉在基片上的融粒。 三、描述基片的几何特征尺寸的参数 1. 表面粗糙度（光洁度） Surface roughness (smoothness) 粗糙度（光洁度）——　与横贯表面上峰点和谷点中心线的平均偏差，单位为μin 。 2. 翘度 camber 翘度 —— 基片最高点与最低点的距离除以发生翘曲方向上的最大的尺寸，单位为in/in或mil/in。 四、基片的电气特性(electrical characteristics) 1. 体电阻率 要求大 2. 小的介电常数（dielectric constant）和低的介电损耗(dielectric loss) 五、基片的热学性质与力学性质 1. 热膨胀系数要求匹配 2. 导热系数要求大 3. 有一定的机械强度 热膨胀(thermal expansion)系数 对于可近似看做一维的物体，这时的热膨胀系数可简化定义为：单位温度变化所导致的长度的增加量与的原长度的比值，即线膨胀系数。 单位温度变化所导致的体积变化百分比，即热膨胀系数。 导热系数定义 导热系数（thermal conductivity）是指在稳定传热条件下，1m厚的材料，两侧表面的温差为1度（K,℃），在1小时内，通过1平方米面积传递的热量，单位为瓦/米?度 （W/m?K，此处为K可用℃代替）。 第一章 混合集成电路的基片1.3 常用基片材料 主要教学知识或能力要求 掌握常用基片材料的热学性能和电学性能。 1.3 常用基片材料 混合电路中广泛使用的基片是氧化铝陶瓷。其次，也使用氧化铍和氮化铝陶瓷基片，氧化铍和氮化铝基片仅限用于要求大约十倍或更高热导率基片的大功率电路。 1.3.1 氧化铝基片 氧化铝基片可用于薄膜电路和厚膜电路，但薄膜电路所用到的氧化铝基片在质量和等级必须有明显的差别。因为薄膜电路主要用于精密、小间隙导线，小公差、高稳定电阻的高密度的电路中，所以氧化铝的纯度和表面光洁度必须有很高的等级。 薄膜电路要求基片的氧化铝含量大于99.6%（重量百分比）和表面光洁度1~6μin CLA(中心线平均值)， 厚膜电路要求氧化铝基片含量在94%~96%和表面光洁度15~25μin CLA。 厚膜用的氧化铝基片 96%氧化铝基片---—有高的抗弯、抗压强度和良好的热导率（约为铝的1/7）。基片有即烧的基片，也有经过研磨和抛光的基片。经过研磨和抛光的基片尺寸公差较小，可达±0.001 in或甚至达±0.0005 in。翘度为0.001 in/in或甚至达0.0005 in/in。但其成本比即烧的要高5~7倍 薄膜用的氧化铝基片 薄膜用的氧化铝基片一般为99.6%氧化铝基片。市场上基片的尺寸范围是从0.25 in×0.25 in ~ 4.25 in×4.25 in 。非常小的电路一般不单个加工，而是在大基片上做成复合图形进行加工，在基片背面预先划槽，以便在加工以后能被分开。在基片预先刻槽的深度约为基片厚度的1/3。基片厚度为0.005~0.050 in, 常见为0.01 in 和0.025 in。 1.3.2 氧化铍基片 氧化铍（BeO）是一种独特种类的电子材料，同时具有高的绝缘电阻和高热导率。只有少数材料能组合这两种截然相反的性能，这类材料还包括金刚石、氮化铝、单晶氮化硼和碳化硅等。 1．氧化铍基片高的热导率 一般说来，好的绝缘体（塑料和陶瓷）具有很低的到中等的热导率，而导电体（金属）才有高的热导率。氧化铍的热导率接近于金属铝，而且具有最好塑料才有的绝缘电阻。高纯度的氧化铍陶瓷热导率比典型的环氧塑料高1200倍，比大多数玻璃高200倍，优于氧化铝陶瓷6~10倍 2. 氧化铍基片的温度特性 在室温和混合电路所能遇到的最高温度下（约230℃）（例如当再流焊组装时）下，99.5%氧化铍的绝缘电阻是很好的。与其他陶瓷，无机材料和塑料一样，氧化铍陶瓷釉负的电阻率的温度系数，即当温度增加时，电阻率减小。 3. 氧化铍基片的击穿强度 氧化铍陶瓷的击穿强度大于混合电路应用所要求的数值，它的范围决定于厚度，为600~800V/mil。如塑料一样，击穿强度是随样品厚度增加而减小。 。 4. 氧化铍基片的介电