[信息与通信]2-3晶体三极管.pptVIP

2.3 晶体三极管 (1) NPN型 (2) PNP型 (3) 三极管的外形图 晶体管的分类： ①依据制造材料的不同，晶体管分为锗管与硅管两类，其特性大同小异，硅管受温度影响较小。工作较稳定； ②依据晶体管内部基本结构，分为NPN型和PNP型两类； ③依据工作频率不同，大致可分为高频管和低频管等； ④依据用途的不同，分为放大管和开关管； ⑤依据功率不同，分为小功率管、中功率管和大功率管。 半导体器件型号与符号的意义 GB-249-74 示例1：3AG11G 1.三极管处于放大状态的工作条件 2. 三极管在电路中的连接方式 (1) 共发射极连接方式 (2) 共集电极连接方式 (3) 共基极连接方式 3. 三极管中的电流分配及放大作用 (a) 发射区向基区注入电子 发射结外加正向电压，以扩散电流为主： (b) 电子在基区中的扩散与复合 扩散到基区的电子有两个去向： (c) 集电区收集电子 集电结外加反向电压，以漂移电流为主： 基区自身的电子向集电区漂移 集电区的空穴向基区漂移 两者形成反向饱和电流ICBO。 BJT中的电流分配关系 (2) 电流放大系数 BJT的特性曲线是指端电流与端电压之间的关系曲线，根据输入端和输出端分为输入特性曲线和输出特性曲线。 共射极电路的特性曲线 1. 输入特性 输入特性是指当vCE为某一常数， iB 与vBE之间的关系曲线。 vCE=0，相当于两个二极管并联，此时的输入特性曲线和普通二极管的伏安特性曲线相似 vCE≥1V： vCB= vCE - vBE0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，电子在基区的复合减少， iB ?、iC?，特性曲线将向右稍微移动一些。 随着vCE增加，曲线移动不大，主要是vCE≥1V后，c区已经将来自e区的电子绝大部分吸引走。 2.输出特性 vCE较小，集电结没有反偏或反偏电压较小，这时集电区收集电子的能力较弱，只要vCE稍稍增加，c区收集电子的能力将明显上升，因此iC上升较大 当集电结反偏电压较大时，扩散到基区的电子基本上都可以被集电区收集，此后vCE再增加，电流也没有明显的增加，故特性曲线与vCE轴基本平行 BJT输出特性曲线的三个工作区 (1) 饱和区 (2) 截止区 (3) 放大区 2.3.4 BJT的主要参数 (2) 反向饱和电流 集电极－发射极反向饱和电流ICEO 2 极限参数 BJT安全工作区示意图 例 晶体管作开关的电路如图所示。输入信号为幅值Uim＝3V的方波。若RB＝100 kΩ，RC＝6 kΩ时，验证晶体管是否工作在开关状态?(设VT为硅管) IB＝0，IC≈0， 则UCE≈UCC=12V，晶体管处于截止状态。 例 题 1 测得某放大电路中一正常工作的BJT三个电极A、B、C的对地电位分别为－9V、－6V、－6.2V，试分析A、B、C中哪个是基极、哪个是发射极、哪个是集电极，并说明此BJT是硅管还是锗管，是NPN型还是PNP型。 C为基极 B为发射极 A为集电极 该BJT为锗管，PNP型 例 题 2 测量三极管三个电极对地电位如下图所示，试判断三极管的工作状态。 集电极最大允许电流ICM 当集电极电流增加时，即IB和IC增加，? 就要下降，当?值下降到线性放大区?值的70～30％时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流ICM。至于?值下降多少，会随三极管的型号以及生产厂家而有 所差别。 集电极最大允许功率损耗PCM 因发射结正偏，呈低阻，所以三极管功耗主要集中在集电结上。 ICEO表示基极开路，c、e极间外加反向电压时的集电极电流。大小为?A量级 ICEO从集电区穿过基区流至发射区，所以又叫穿透电流。该电流和单纯的PN结反向电流不同。 极限参数是指为了保证晶体管在放大电路中能正常、安全地工作而不能逾越的参数。 集电极最大允许电流ICM 集电极最大允许功率损耗PCM 反向击穿电压 集电极开路时发射极－基极间的反向击穿电压V(BR)EBO 发射极开路时集电极－基极间的反向击穿电压V(BR)CBO 基极开路时集电极－发射极间的反向击穿电压V(BR)CEO PCM=iCvCE 双曲线 故：ui为幅值达3V的方波时，晶体管工作在开关状态。 ui＝0时，由于U B=UE=0， 解： ui=3V时，取UBE＝0.7V，则: 实际基极电流IB＝（3－0.7）/（100×103）=23（μA） 是否工作在饱和状态，须由基极临界饱和电流IB来判断。 一般IC (临界) ≈ ICS （集电极饱和电流） 即 IC(临界) ≈ ICS ≈UCC