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数字电子技术基础（阎石）第五版 第三章 门电路-1 第三章 门电路 3.1 概述 3.2 半导体二极管门电路 3.3 CMOS门电路（重点） *3.4 其它类型的MOS集成电路（略） 3.5 TTL门电路（重点） *3.6 其它类型的双极型数字集成电路（略） *3.7 Bi-CMOS电路（略） *3.8 TTL电路与CMOS电路的接口 门电路：实现基本运算、复合运算的单元电路，如与门、与非门、或门 ······ 获得高、低电平的基本原理 逻辑约定 逻辑约定：逻辑状态与逻辑电平之间的对应关系 正逻辑约定 高电平表示逻辑“1”；低电平表示逻辑“0”。 负逻辑约定 高电平表示逻辑“0”；低电平表示逻辑“1”。 混合逻辑约定（极性逻辑约定） 有些电路中高电平表示有效逻辑状态；而其他电路中低电平表示有效的逻辑状态。 正负逻辑之间存在着简单的对偶关系，例如正逻辑与门等同于负逻辑或门等。 逻辑电平 高电平VH：大于给定电平值的电压范围 输入高电平VIH 输出高电平VOH 低电平VL：小于给定电平值的电压范围 输入低电平VIL 输出低电平VOL 逻辑“0”和逻辑“1”对应的电压范围宽，因此在数字电路中，对电子元件、器件参数精度的要求及其电源的稳定度的要求比模拟电路要低 逻辑电平示意图 3.2 半导体二极管门电路3.2.1二极管的开关特性： 二极管的开关等效电路： 3.2.2 二极管与门（p.71） 3.2.3 二极管或门 图3.2.6 二极管或门（p.72） 二极管构成的门电路的缺点 电平有偏移 带负载能力差 只用于IC内部电路 MOS管的结构 (1) MOS管的工作原理 二、输入特性和输出特性 漏极特性曲线（分三个区域） 截止区：VGSVGS(th)，iD = 0, ROFF 109Ω 漏极特性曲线（分三个区域） 可变电阻区：当VDS 较低（近似为0）， VGS 一定时， 这个电阻受VGS 控制、可变。 漏极特性曲线（分三个区域） 恒流区： iD 基本上由VGS决定，与VDS 关系不大 输入输出特性 三、MOS管的基本开关电路 四、等效电路 五、MOS管的四种类型 增强型 耗尽型 MOS管特性 N沟道 增强型 习题3-1 3.1, 3.2, 3.3 图3.3.4 MOS管的基本开关电路 工作状态： VGSVGS(th) MOS管截止VI≈0 VOH≈VDD 放大恒流（饱和）VI≈VDD，VOL≈0 OFF ，截止状态 ON，导通状态 图3.3.5 MOS管的开关等效电路 大量正离子 导电沟道 N沟道 耗尽型 P沟道 增强型 P沟道 耗尽型 四种类型MOS管的比较 见P.79 表3.3.1 * * * 3.1 概述 门电路的作用：是用以实现逻辑关系的电子电路，与基本逻辑关系相对应。 门电路的主要类型：与门、或门、非门、与非门、或非门、异或门等。 工艺分类：双极型工艺，CMOS工艺，Bi-CMOS工艺。 门电路的输出状态与赋值对应关系： 正逻辑：高电位对应“1”；低电位对应“0”。 混合逻辑：输入用正逻辑、输出用负逻辑；或者输入用负逻辑、输出用正逻辑。 一般采用正逻辑 负逻辑：高电位对应“0”；低电位对应“1”。 门电路中以高/低电平表示逻辑状态的1/0 1 0 0V Vcc 在数字电路中，对电压值为多少并不重要，只要能判断高、低电平即可。 S开------vO输出高电平，对应“1” 。 S合------vO输出低电平，对应“0” 。 vO S Vcc R ?V ?V vi→ 图3.1.1 获得高、低电平的基本原理 正逻辑 高/低电平 的获得与切换 (P.67) 正负逻辑问题 正逻辑体制：若H和L分别表示高、低电平，若 令H=1、L=0，则称之为正逻辑体制。 负逻辑体制：若H和L分别表示高、低电平，若 令H=0、L=1，则称为负逻辑体制。 在本课程中，一律采用正逻辑。 1.正负逻辑的规定 正负逻辑问题 S 输出信号 输入信号 R 1 0 正逻辑 0 1 负逻辑 1.正负逻辑的规定 H H H L L L H L L H H H F A B 1 1 1 0 0 0 1 0 0 1 1 1 F A B 0 0 0 1 1 1 0 1 1 0 0 0 F A B 与非门