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[工学]4驱动缓冲保护电路
* 四 HCPL-316J( 2.5A)原理 图30 HCPL-316J内部原理框图 图31 HCPL-316J典型双电源供电应用电路图 1500V/150A 图32 (容量扩展的单电源)HCPL-316J典型应用电路图 600V/200A(驱动电流可扩展到15A) 五 CONCEPT公司2SD315A( 18A)产品 图33 EUPEC公司驱动模块结构图 图34 图33中的LDI部分 图35 图33中的IGD部分 图36 2SD315A应用电路图(3300V/1200A) 六 国产(陕西高科)HL402原理( 2A) 图37 HL402内部结构原理图 图38 HL402驱动IGBT电路 图39 IR2110内部原理框图 图40 IR2110驱动半桥IGBT典型电路(特色是自举电源) 七 IR公司IR2110集成驱动器(2A) 图41 能用负偏压关断IGBT的IR2110驱动电路 图42 SKHI22AH4内部结构原理及与IGBT连接方法 八 SEMIKRON公司的SKHI21A/22B驱动芯片(8A) 附图 北京普尔盛公司某款IGBT驱动器(可兼容SKHI2系列) 图43 MC33153驱动芯片内部原理框图 九 MOTOROLA公司的MC33153集成驱动(2A) 图44 MC33153驱动IGBT电路图 图45 FAN8800内部结构框图 图46 FAN8800驱动IGBT电路 十 FAIRCHILD公司的FAN8800驱动模块(2A) 十一 日本英达公司的HR065驱动芯片(2.5A) 图47 HR065内部原理图和驱动IGBT应用电路 十二 日本三社的GH-039型IGBT驱动模块(6A) 图48 GH-039内部原理和典型应用图 一 清华大学卫三民博士发表于2001年的一篇文章 图49 卫三民设计双电源供电IGBT驱动与保护原理图 (二)分立元件IGBT驱动电路研究 二 北京航空航天大学博士王永发表于2004年的一篇文献(这个电路有缺陷) 图50 王永设计单电源供电IGBT驱动与保护原理图 图51 IGBT驱动与保护原理图C 三 韩国LS Industrial systems 有限公司jin-hong,kim发表于2007年的一篇文献IEEE 图52 图51中虚线框内一类基本结构 图53 图52电路各元件定时波形图 五、韩国收获公司变频器产品上所用驱动 图54 某560KW变频器产品所用驱动板 图55 某400KW变频器所用驱动板 图56 某250KW变频器所用驱动板 小结 综上对各类驱动器内部原理和应用电路的分析,各类驱动器(无论是集成芯片还是分立元件构成)都是以满足IGBT驱动基本要求为目标,有的设计时增加某些功能(如电源欠压封锁、过流保护、降栅压逻辑控制,工作参数外部可调、缓降栅压,窄脉冲抑制等等),采用类似或不同的电路形式来实现所要求功能,各类驱动器都有其应用场合和局限性,根据性能和工作参数要求,价格也相差很大。具体分析见下页: 日本富士公司生产的EXB 系列。其特点: 具有单电源, 正负偏压, 过流保护和低速过流切断功能, 保护信号可输出供控制电路用, 但负偏压不足、无欠压保护和过流自锁功能。 IR 公司推出的IR 2110 集成驱动器。其特点是: 设置了自举浮动电源, 使用单电源来实现隔离驱动, 对全桥驱动电路特别适用, 但IR 2110 自身不带隔离环节, 且不能对IGBT 实行欠饱和、过饱和保护。因此外围电路需增加隔离电路及抗饱和保护电路。 集成驱动芯片小结 CONCEPT 公司的2SD315A驱动模块。可用于驱动高达1 700V的IGBT。其特点: 可选择控制逻辑电平, 可选择工作模式与死区时间, 可选择信号输入与状态输出的模式, 其有短路过流保护和智能电源监控等功能。具有较为完善的保护功能, 是目前大功率驱动器的首选模块。但是,CONCEPT公司SCALE系列由于针对EUPEC可以无缓冲运行的IGBT设计,而无短路软关断保护功能,缺乏通用性。 Agilent公司生产的HCPL-316J光电耦合驱动器件,其特点是:内部集成集电极-发射极电压(UCE)欠饱和检测电路及故障状态反馈电路,具备过流软关断、高速光耦隔离、欠压锁定、故障信号输出的功能,兼容CMOS /TTL电平,采用三重复合达林顿管集电极开路输出,可驱动150 A/1 200 V的IGBT,最大开关时间500 ns,“软”IGBT关断,工作电压范围15-30 V.DSP控制器与该器件结合可实现IGBT的驱动,使得IGBT欠饱和检测结构紧凑,低
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