[工学]6 三级存储体系.pptVIP

ROM 非易失性的存储器——ROM： MROM: 出厂时已写好，不可更改 PROM：可写一次 EPROM：正常工作时，只能读 紫外线照射，将数据擦除，重新写入 EEPROM：电可擦除EPROM Flash ROM：闪存，低电压改写 一般存储芯片： DIP（Dual In－line Package）双列直插封装 内存条： SIMM 单列直插存储模块 DIMM 双列直插存储模块 6.3 主存储器的组织 一、主存储器容量的扩展：根据不同计算机的要求，主存具有不同容量要求，目前生产的存储芯片规格有限，需要对实际的存储器进行扩展 给定一定容量芯片，连接成更大容量的主存 需解决： 芯片的选用、 地址分配与片选逻辑、 信号线的连接 6.3 主存储器的组织 1、位扩展：存储单元数相同，但位数不足 例：用Intel 2114芯片(1024×4) 组成1024×8的存储器 方法：①总片数＝总容量 / 芯片容量 1024×81024×4 ＝2（片） ②位扩展方法：将各芯片的地址线、片选线、读写线并联起来，芯片的数据线单独列出 6.3 主存储器的组织 6.3 半导体存储器的组成与控制 2114 A0 A1 … A9 … D0 D1 D2 D3 CS WE 2114 A0 A1 … A9 … D0 D1 D2 D3 CS WE A0 A1 A9 CS WE D3 D2 D1 D0 D7 D6 D5 D4 CPU 2、字扩展：芯片字长相同，但存储单元不足 需要对地址空间进行扩展 例：用Intel 2114芯片(1024×4) 组成4096×4的存储器 4096×41024×4 ＝4（片） ①需用芯片 4 4 数据线 12 10 地址线 CPU(主存) 芯片 ②字扩展：主存数据线与芯片相连主存低位地址与芯片相连主存高位地址经地址分配后(通常是译码)与芯片的CS端相连 6.3 主存储器的组织 4096＝212，需要12根地址线，A0～A111024＝210，芯片带有10根地址线，即A0～A9 A11 A10 A9。。A1 A0 0 0 0 … 0 0 0 0 1 … 1 1 0 1 0 … 0 0 0 1 1 … 1 1 1 0 0 … 0 0  1 0 1 … 1 1 1 1 0 … 0 0  1 1 1 … 1 1 1K 1K 1K 1K 6.3 主存储器的组织 2114 A0 A1 … A9 … D0 D1 D2 D3 CS WE A0 A1 A9 A10 A11 WE D3 D2 D1 D0 CPU 2114 A0 A1 … A9 … D0 D1 D2 D3 CS WE 2114 A0 A1 … A9 … D0 D1 D2 D3 CS WE 2114 A0 A1 … A9 … D0 D1 D2 D3 CS WE 译码 00 01 10 11 6.3 主存储器的组织 字、位扩展举例 字扩展连接方式 位扩展连接方式 6.3 主存储器的组织 3、字位同时扩展： 例：用Intel 2114芯片(1024×4) 组成4096×8的存储器 6.3 主存储器的组织 例：某半导体存储器，总容量4KB。其中固化区2KB，选用EPROM芯片2716（2Kx8/片）；工作区2KB，选用SRAM芯片2114（1Kx4/片）。地址总线A15～A0（低），双向数据总线D7～D0。 给出地址分配和片选逻辑，并画出逻辑框图 （1）计算芯片数 ROM区： 2Kx8 1片2716 RAM区： 位扩展 2片1Kx4 1Kx8 2组1Kx8 2KB 4片2114 字扩展 （2）地址分配与片选逻辑 存储器 寻址逻辑 芯片内的寻址 芯片外的地址分配与片选逻辑 大容量芯片在地址低端,小容量芯片在地址高端。 存储空间分配： A15A14A13A12A11A10A9…A0 0 0 0……0 1 0 1……1 1 0 0……0 4KB需12位地址寻址： ROM A11～A0 64KB 2KB 1Kx4 RAM 1Kx4 1Kx4 1Kx4 1 1 1……1 1 1 0……0 0 1 1……1 低位地址分配给芯片，高位地址形成片