[工学]半导体集成电路第6章-单沟道MOS逻辑集成电路.pptVIP

第六章 单沟道MOS逻辑集成电路 内容提要 1：各种单沟道MOS倒相器的结构分析、性能分析 2：不同倒相器之间的比较 3：单沟道MOS逻辑集成电路的构成 MOS逻辑集成电路是继双极型晶体管集成电路获得应用之后迅速发展的另一类型集成电路。 由于采用电压控制型器件MOSFET，比之双极型集成电路，其突出优点是功耗低，占用芯片面积小，因此其集成度高，功耗小。这正好符合了集成电路的发展方向。可以广泛应用于航天，微处理机，空间技术，军事系统等领域。 最早出现的MOS逻辑集成电路是P沟MOS电路。其突出的优点是制作容易成本低，但速度低，电源电压高。 对一个MOS门电路，其状态的改变取决于对栅电容的充放电。因此速度及扇出都受栅电容的影响。这也是早期MOS电路的发展较缓的原因之一。 随着工艺技术的发展，出现了NMOS电路。由于电子表面迁移率较空穴表面迁移率高出两倍，因此在同样的几何尺寸下。NMOS管的导通能力大大增强，意味着其工作速度更快。另外，由于NMOS管阈值电平较低，其电源电压也相应降低。 因此，目前NMOS电路得到解决了广泛的应用。 为进一步提高电路性能，所谓短沟道MOS电路正迅速发展。主要有两种： 1．高特性MOS（HMOS） 2．双扩散MOS（DMOS） 在线路设计上，则出现了CMOS电路。它具有极低的功耗，较高的速度及较大的噪声容限，且其集成度也大为提高。 从表中可以看出，综合各方面的参数考虑，MOS电路，特别是CMOS电路是最符合现代电子技术发展的集成电路。 在本篇的内容之先，我们已学过双极型逻辑电路，而在电路形式上，MOS电路与双极电路有相似之处，我们可以参照双极电路来分析MOS电路。 另外，MOSFET是多子元件，是压控元件，而双极管是少子元件，电流控制元件。 因此，MOS电路不需考虑少子存贮效应，而主要考虑电容效应，而对压控电件，理论扇出为无穷，但实际上负载能力受电容负载的限制。 此外，MOSFET还具有衬底偏置效应，在电路分析中，应注意其特点。 在接触到MOS电路之先，我们回顾一下MOS管的基本知识。 MOSFET有四种类型： 结构种类 工作方式 栅压 特点 P沟道 增强型 负 易制造工作、速度慢 耗尽型 难于制造 N沟道 增强型 正 制造复杂、速度快 耗尽型 正负均可 可在零栅压下工作 在逻辑电路中，总是希望不另附加偏置电路，即在输入“0”状态时输入管（驱动管）截止，而输入“1”电平时，输入管导通，因而输入管毫无例外地采用增强型管。 §6-1　电阻负载MOS倒相器 一、基本电路 二、电路原理 T1为增强型MOSFET Vi=“0” T截止 RMOS?RL VO=“1” Vi =“1” T导通 RMOS?RL VO=“0” 实现了倒相器的功能。 　　　三、特性分析 类似于双极型晶体管倒相器，我们也以其电压传输特性来描述MOS倒相器的静态特性。 对负载RL： VO= VDD―ILRL 对MOS管：　　　　　　 　　　 饱和区 　　　 非饱和区 空载条件下 IL= ID 联立求解，可得VO ～Vi 关系 采用图解法 因IDS=IL，将负载线VDD-VDS ～IL 画在TI 输出特性曲线中，得到一系列交点，每一点对应一组（VO 、Vi），列于VO ～ Vi 坐标中，得到VO ～ Vi曲线。 从中可以看出： Vomax =VDD ； Vomin与RL 有关，为减小VOL 则RL尽可能大；