原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
[工学]固体物理第二章
第二章 半导体中杂质和缺陷能级
第二章 半导体中杂质和缺陷能级
重点
2.1 硅、锗晶体中的杂质能级
2.2 Ⅲ－Ⅴ族化合物中的杂质能级
理想半导体的能带
理想半导体的能带
禁带无能级
E
c
禁带
E
允带 v
禁带
非理想（实际）半导体特征：
1. 原子并非静止在格点，而在平衡位置附近振动；
点缺陷 空位等
2. 晶格结构存在缺陷 线缺陷 位错
面缺陷 层错
无意掺杂 源材料 工艺
3. 半导体内有杂质
有意掺杂 控制材料性质
制成各类器件
杂质：半导体中与晶体基质原子不同的原子
杂质和缺陷的影响：
杂质和缺陷破坏原周期性势场，在禁带
中引入能级，对半导体的性质产生决定
性的影响。
E
c
杂质能级
E
v
2.1 硅、锗晶体中的杂质能级
2.1.1 替位式杂质和间隙式杂质
4πr 3
×8
3 r 3a / 8
η 3 ⎯⎯⎯⎯→ 0 .34
a
替位式杂质和间隙式杂质
间隙式杂质
替位式杂质
间隙式杂质 杂质原子位于晶格间隙位置。
杂质原子较基质原子小。
替位式杂质 杂质原子取代晶格原子的位置。
原子大小与基质原子接近，且价电子壳层相近
2.1.2. 施主杂质 施主能级
2.1.2. 施主杂质 施主能级
电子
P＋
正电中心
Si中的施主杂质
Si中的施主杂质
Si Si Si
Si Si
Si P+ Si
Si Si
Si
文档评论（0）