[工学]固态电子2010-第五章.pptVIP

小角晶界模型 晶界结构和性质与相邻晶粒的取向差有关，当晶粒取向角小于10?时，晶界称为小角晶界；当取向角大于15?时晶界称为大角晶界。 伯格斯对小角晶界提出一种简单模型：由一系列刃型位错组成的界面。如图5.17所示。图中是简单立方晶格，交界面为（010）面，左右两部分晶格绕[001]轴（垂直纸面）有一小角θ的倾斜。若相邻两个刃型位错间的距离为D，每个位错引起的滑移量为b，则有 Dθ=b 由实验测定θ以及b，可以估计D的数值。 图5.17 简单立方晶格中的小角晶界 四、体缺陷 在体缺陷中比较重要的是包裹体。包裹体是晶体生长过程中界面所捕获的夹杂物。它可能是晶体原料中某一过量组分形成的固体颗粒，也可能是晶体生产过程中坩埚材料带入的杂质微粒。这是一种严重影响晶体性质的体缺陷，如造成光散射，或吸收强光引起发热从而影响晶体的强度。另一方面，由于包裹体的热膨胀系数一般与晶体不同，在单晶体生长的冷却过程中会产生体内应力，造成大量位错的形成。 本章主要内容回顾： 一、典型的点缺陷的定义和形成机制。 二、刃型位错和螺型位错的形成过程、滑移及二者的区别。 三、典型面缺陷的定义。 第五章 晶体中的缺陷 理想晶体：即组成晶体的所有原子或离子都排列在晶格中它们自己的位置上，具有严格的空间周期性排列。没有晶格空位，也没有间隙原子或离子。晶格中的原子或离子都是化学分子式中的原子或离子，没有外来的杂质；并且晶体的原子之比符合化学计量比。 实际晶体：总是与理想晶体有一些差异，产生缺陷的原因是温度引起的热涨落使原子离开格点，或是晶体化学组分与理想晶体有所偏离。 依照晶体缺陷的几何尺度，可以分为：点缺陷、线缺陷和面缺陷，本章主要介绍这三种缺陷的基本类型和特征。 §5.1 点缺陷 点缺陷是在一个或几个原子尺寸范围的微观区域内，晶格结构偏离严格周期性而形成的畸变区域，点缺陷是是晶体中最简单、最常见或者说一定存在的缺陷形式。 点缺陷的主要形式有：空位、间隙原子、杂质原子（或溶质原子）、反位缺陷及色心等。 一、肖特基缺陷 （Schottky defect） 在一定温度时，晶体中原子由于热涨落获得足够能量，离开格点位置，迁移至晶体表面，于是在晶体中出现不被原子占据的空格点，称为空位，这种晶体空位称为肖特基缺陷，如图5.1(a)所示。 二、弗仑克尔缺陷（Frenkel defect） 金属和离子晶体中都会由于热运动的能量涨落，使原子或离子脱离格点进入晶体中的间隙位置形成间隙原子（或离子），于是晶体中出现成对的空位和间隙原子，这种空位-填对称为弗仑克尔缺陷，如图5.1(b)所示。 三、间隙原子缺陷 它是晶体格点原子运动到晶体的间隙位置形成的缺陷，形成该种需要更大的能量，除小半径杂质原子外，一般不易单独形成此种缺陷，如图5.1(c)。 注意：肖特基缺陷和弗仑克尔缺陷的区别。 图5.1 晶体中的肖特基缺陷、弗仑克尔缺陷和间隙原子缺陷 返回1 返回2 三、杂质原子 实际晶体中总是存在某些其他的微量杂质，一方面是晶体生长过程中引入的，如O、N、C等，这些是实际晶体不可避免的杂质缺陷，只能控制相对含量的大小；另一方面是有目的地向晶体中掺入的一些微量杂质，例如在单晶硅中掺入微量的B、Al、Ga、In、P、As等可以使晶体的导电性能发生很大变化。当晶体存在杂质原子时，晶体的内能会增加，由于少量的杂质可以分布在数量很大的格点或间隙位置上，使晶体组态熵的变化也很大。因此温度T下，杂质原子的存在也可能使自由能降低。 当杂质原子取代基质原子占据规则的格点位置时，形成替位式杂质，如图5.2(a)；若杂质原子占据间隙位置，形成间隙式杂质，如图5.2(b)。 图5.2 晶体中杂质原子缺陷 (a)替位式杂质 (b)间隙式杂质 对一定晶体，杂质原子是形成替位式杂质还是间隙式杂质，主要取决于杂质原子与基质原子几何尺寸的的相对大小及其电负性。杂质原子比基质原子小得多时，形成间隙式杂质，因为替位式杂质占据格点位置后，会引起周围晶格畸变，畸变区域一般不大，畸变引起的内能增加也不大，若杂质占据间隙位置，由于间隙空间有限，由此引起的畸变区域比替位式大，因而使晶体的内能增加较大。所以只有半径较小的杂质原子才能进入敞开型结构的间隙位置中。例如：金属晶体结构的密堆积形式决定了间隙空间的有限，这类晶体只有象H、C这样小的原子才能进入间隙位置。许多金属氧化物晶体中，只有象Li+这样的杂质离子才能形成间隙缺陷。