[工学]第三章 双极晶体管.pptVIP

3.1 双极型晶体管的工作原理 综上所述，通过发射结的有电流IPE和INE，故总电流IE=INE+IPE;通过集电结有电流INC和ICBO，故总电流为IC=INC+ICBO; 根据电流连续性有，IE=IC+IB; 对于NPN管，电子电流是主要成分，电子从发射极出发到达集电极，传输途中至少有两次损失，一是在发射区与基区注入空穴复合，二是在基区体内复合，故:INEINC. 说明： (1)若基区宽度很小（远小于少子扩散长度），则上述JNB公式中双曲函数展开只取一次幂，则可将基区电子电流密度方程简化为课本P104页3-11b，即基区中电子密度与位置无关，JNB为常数，也即基区电子复合忽略不计; (2)集电结反偏且绝对值远大于KT/q，则可将3-11b继续简化为P104； (3)发射结空穴电流密度沿-x方向逐渐减小，是由于注入空穴与发射区电子复合，转换成为电子电流； (4)集电区空穴电流密度随x增加而减小，空穴电流不断转换为电子电流。 3.3 低频共基极电流增益 提高晶体管电流放大系数的主要措施： （1）降低发射区与基区的方块电阻之比； （2) 减小基区宽度； （3）提高基区自建电场因子； （4）提高载流子寿命和迁移率，从而增大载流子扩散长度。 3.4 非理想效应 3.4.4 基区表面复合 晶体管的开关参数： 1、开启时间=延迟时间+上升时间 2、关断时间=存储时间+下降时间 3、饱和压降：表示开关晶体管与理想开关的 差距，值越小，功率损耗越小； 4、输入正向压降：表示开关电路中所需启动功率（IBVBES）的大小，值越小，开关电路的可控灵敏度越高。 由于锗的浓度非常小，这两种晶体管的发射结实际上是完全一样的。 然而，锗硅基区晶体管靠近集电结处的禁带宽度比硅基区晶体管的要小。 而基极电流是由发射结参数决定的，因此两种晶体管的基极电流实际上是完全一样的。 禁带宽度的变化将会影响集电极电流。 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 3.5 等效电路模型 1.交流短路电流放大系数与频率参数 定义:输出端交流短路时输出端与输入端的交流电流之比为交流短路电流放大系数。 共基极交流短路电流放大系数 晶体管交流小信号电流增益 共射极交流短路电流放大系数 ； 交流小信号电流传输 3.6 频率特性 ； ◆发射结延迟时间： CTe通过re充放电时间。 发射极电流 3.6.1 延时因子 ◆发射效率 3.6 频率特性 直流时的发射效率： 称为发射结截止频率，当工作频率 时， 。 ◆基区输运系数及基区渡越时间 均匀基区晶体管 对缓变基区(基区杂质指数分布) 对平面管（高斯分布可用指数分布近似），通常 3.6 频率特性 3.6.1 延时因子 m为超相移因子 ◆集电结势垒渡越时间 ◆集电区衰减因子与集电极延迟时间 集电极延迟时间：交流电流流过rcs 时，将产生交流压降(cb结压降跟着变),导致充放电电流icTC对cb 结电容CTC充放电，使输出电流下降。 3.6 频率特性 3.6.1 延时因子 即集电结势垒电容通过串联电阻 的充放电时间， 为集电区截止频率。 α截止频率 ：定义为α由低频值 下降到 所对应的频率。 β截止频率 ：定义为β由低频值 下降到 所对应的频率。 特征频率 ： β＝1所对应的工作频率（电流放大最高工作频率） 常用“分贝”表示电流放大系数 (dB) (dB) 截止频率时，电流放大系数下降了3分贝 特征频率下，电流放大系数为零分贝 3.6 频率特性 3.6.2 晶体管截止频率 3.6.3 BJT电流放大系数的频率关系 ◆共基极运用电流放大系数 βd集电结势垒输运系数 αc集电极衰减因子 展开分母并略去二次幂可得： 3.6 频率特性 3.6 频率特性 3.6.3 BJT电流放大系数的频率关系 α幅值与频率的关系 3.6 频率特性 3.6.3 BJT电流放大系数的频率关系 ◆共发射极运用 1. β与频率的关系 将α(f)代入β= α/(1- α)即得β(f),然而, α用的是cb短路, β用的是ce短路,所以应先求得