[工学]第八章 刻蚀.pptVIP

微电子工艺学 第八章　刻　蚀（Etching） 刻蚀分类 湿法刻蚀：使用化学溶液对衬底进行腐蚀。反应机理是一个纯粹的化学反应过程。 干法刻蚀：使腐蚀剂处于“活性气态”情况下，与被腐蚀的样品表面接触来实现腐蚀。主要包括：高压等离子刻蚀、离子铣、反应离子刻蚀。反应机理既包括物理过程，又包括化学反应过程。 8.1　湿法刻蚀 缺点：各向异性差（特别是对金属和氧化物），易受到污染。 优点：高选择比，损伤少，设备简单，产量高。 主要步骤： 刻蚀剂移动到晶片表面； 与暴露的表面发生化学反应生成可溶解的产物； 从晶片表面移去反应生成物。 一般来说，湿法刻蚀的特征尺寸不小于3微米 常见材料的湿法刻蚀：　　　　　SiO2, Si3N4, Si, GaAs, Al 氧化硅（SiO2）的腐蚀溶液一般是HF溶液。为了保持溶液中HF浓度的稳定性，通常加入NH4F进行缓冲。反应如下： 氮化硅（Si3N4）的腐蚀溶液是磷酸（H3PO4），但由于光刻胶不耐磷酸腐蚀，所以通常用SiO2作为Si3N4的掩蔽膜，反应如下： 铝（Al）的腐蚀溶液是磷酸（H3PO4），由于腐蚀的过程中会有气体生成，并影响腐蚀的均匀性，通常在腐蚀液中加入少量的醋酸和乙醇，反应如下： 硅（Si）的腐蚀溶液有好几种，其一是采用强氧化剂对硅氧化，然后用HF腐蚀掉SiO2；其二是采用KOH溶液。反应分别如下： 砷化镓（GaAs）的腐蚀液通常为：H2SO4－H2O2－H2OBr2－CH3OHNaOH－H2O2NH4OH－H2O2－H2O 湿法腐蚀中的定向腐蚀 利用不同晶面的原子键密度不一样，导致腐蚀速率也不一样。 利用掺杂浓度不一样，导致腐蚀速率不一样。一个常用的掺杂选择腐蚀液配方是：HF/HNO3/CH3COOH（1:3:8）。它对于重掺杂硅的腐蚀速率是轻掺杂腐蚀速率的15倍。 利用湿法腐蚀对缺陷进行染色。 硅片中，（111）面方向的键密度最大，所以腐蚀速率最慢。硅的定向腐蚀液为：KOH、异丙醇和水的混合液（23.4:13.5:63），在（100）方向腐蚀速率是（111）方向的100倍。 化学机械抛光（CMP） CMP工艺用来产生一个平坦而又缺陷少的表面。 CMP工艺包括机械研磨和化学腐蚀两部分。 CMP工艺可以对不同表面进行抛光，如Si，金属等。区别主要在于不同的研磨浆液。 化学机械抛光（CMP）示意图 浆液组成 浆液包括研磨料悬浮液和腐蚀剂。 对于硅CMP工艺，研磨料：硅土颗粒，腐蚀剂：NaOH溶液。 对于SiO2表面CMP工艺，研磨料：SiO2颗粒，腐蚀剂：HF溶液。 对于钨CMP工艺，研磨料：氧化铝颗粒；腐蚀剂：酸性溶液。 影响CMP工艺的因素 抛光板之间的压力。抛光速率随压力线性增加； 抛光板之间的相对转速。 浆液成分。 被研磨物质的材质。 8.2　干法刻蚀 高压等离子刻蚀（化学反应过程） 离子铣（物理过程） 反应离子刻蚀（物理＋化学过程） 优点：工艺易控制；各向异性高；污染少。 缺点：产量较低；选择性较低。 高压等离子刻蚀 高压等离子刻蚀的步骤 反应气体在射频功率的激发下，产生电离并形成大量的活性基团(自由基)； 活性基团穿过附面层吸附在晶片表面； 活性反应基团和被刻蚀物质表面形成化学反应并形成挥发性的反应生成物； 反应生成物脱离被刻蚀物质表面，并被真空系统抽出腔体。 典型的等离子刻蚀用气体 举例：用CF4刻蚀Si（光刻胶遮蔽） 在射频功率激发下，CF4激发成： CF3，CF2，C，F 其中活性最大的是F，F与硅片表面的硅原子成键，形成挥发性的SiF2和SiF4逃逸。 为了增大F的浓度，可在CF4气体中加入适量的O2与C原子反应，从而解放出一部分F。 离子铣 反应离子刻蚀 习　题 干法刻蚀中的工艺分类及其特点。 湿法刻蚀中，刻蚀Si，SiO2，Si3N4的腐蚀液分别是什么？ 既有离子的轰击，又有活性基团的腐蚀，因此刻蚀速率很快，各向异性好，选择性较高。 * 刻　蚀：是通过腐蚀的办法，把掩膜版上的图形转移到衬底表面。腐蚀的方法分为干法腐蚀和湿法腐蚀。 示例：NPN型MOS管制程 栅掩膜版对准 曝　光 显　影 腐蚀多晶硅 腐蚀多晶硅 去除光刻胶 离子注入（掺杂） 热处理后，得到NPN型MOS管 刻蚀的品质因素 刻蚀速率：单位时间刻蚀的厚度，通常的刻蚀速率为每分钟几百至几千埃。 刻蚀速率的均匀性：一个圆片内不同地方或几个圆片之间刻蚀速率变化的百分比。 刻蚀速率的各向异性：刻蚀速率随方向的不同而变化。 选择比：不同材料刻蚀速率的比率。 刻蚀损伤：刻蚀对衬底带来结构缺陷。 工艺安全性：刻蚀过程所涉及到的工艺安全问题。 氯化物，如BCl3/Ar GaAs 氯化物，如BCl3/Cl2 Al 氟化物，如CF4/H2 SiO2 氟化物，如CF4/H2/O2 Si3N4 氟化